-
公开(公告)号：CN119247620A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411379596.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种基于等式修正的绝热耦合器的设计方法。本发明包括以下步骤：步骤一、通过仿真模拟获得耦合波导系统和非耦合波导系统中本征模式的有效折射率；步骤二、计算|ne‑no|‑|n2‑n1|的值；步骤三、非耦合波导系统中本征模式有效折射率的修正；步骤四、传播常数β的计算；步骤五、第一硅芯和第二硅芯之间的耦合强度κ的计算；步骤六、片段长度计算；步骤七、功率传输效率的计算以及最终器件长度的确定。本发明设计方法大幅度地减少了绝热耦合器的器件尺寸，可以实现光子集成芯片中的小型化设计。
-
公开(公告)号：CN118778175A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411148913.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE5模式和TM2模式之间转换的双层绝热转换器。包括第一硅芯、第二硅芯及包层；第一硅芯设置在第二硅芯下方；第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热波导、第二绝热波导、第三绝热波导、第四绝热波导、第五绝热波导、第六绝热波导、第七绝热波导、第八绝热波导、第九绝热波导、第十绝热波导、第十一绝热波导、第十二绝热波导及输出端；当TE5模式从输入端输入，在输出端转换为TM2模式输出。本发明的双层绝热模式转换器可以实现TE5模式和TM2模式之间的转换传输。本发明大幅度地减少了双层绝热模式转换器的器件尺寸，可以实现光子集成芯片中的小型化设计。
-
公开(公告)号：CN118444429A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410721772.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种基于脊波导的紧凑型绝热耦合器。本发明的绝热耦合器可以实现输入端只激发两个非对称波导中的一个超模即最低阶偶模或最低阶奇模，并在输出端耦合到两个对称波导中的同阶超模，从而在较宽的工作带宽内实现均匀的功率分配；本发明绝热耦合器也能反向工作，在这种情况下，所有能量都停留在激发的超模中，当光线在绝热耦合器中传播时，既不会发生模式干扰，也不会发生模式转换。本发明提出的绝热耦合器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。
-
公开(公告)号：CN119179179A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411379593.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种基于六次函数拟合的绝热耦合器的设计方法。本发明包括以下步骤：步骤一、耦合波导系统和非耦合波导系统中本征模式有效折射率的计算；步骤二、计算|ne‑no|‑|n2‑n1|的值；步骤三、非耦合波导系统中本征模式有效折射率的修正；步骤四、采用六次函数对n1和n2的进行曲线拟合；步骤五、传播常数β的计算；步骤六、第一硅芯和第二硅芯之间的耦合强度κ的计算；步骤七、片段长度计算；步骤八、功率传输效率的计算以及最终器件长度的确定。本发明设计方法大幅度地减少了绝热耦合器的器件尺寸，可以实现光子集成芯片中的小型化设计。
-
公开(公告)号：CN118295063B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410539059.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光学技术领域，具体涉及一种光斑尺寸转换器。本发明包括包层及硅芯；硅芯四周设置包层；沿光束传播方向，硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导、第十一绝热锥形波导、第十二绝热锥形波导、第十三绝热锥形波导、第十四绝热锥形波导、第十五绝热锥形波导、第十六绝热锥形波导及输出端。本发明光斑尺寸转换器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118938391A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411148918.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE2模式和TE4模式之间转换的双层绝热转换器。本发明提出的双层绝热模式转换器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。本发明实现TE2模式和TE4模式之间转换，有利于该双层绝热模式转换器的大规模转化应用。本发明实现双层绝热模式转换器的小型化设计，即小尺寸实现高效率(低损耗)的转换传输。
-
公开(公告)号：CN118778176A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411148916.1
申请日：2024-08-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE4模式和TE6模式之间转换的双层绝热转换器。本发明提出的双层绝热模式转换器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。本发明旨在实现同一TE偏振模式下第四阶模式和第六阶模式之间的转换传输，获得尺寸小、损耗低的双层绝热模式转换器。本发明是双层绝热模式转换器的小型化设计，以尽可能短的长度实现TE4模式和TE6模式之间的高效率(低损耗)转换。
-
公开(公告)号：CN118295063A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410539059.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光学技术领域，具体涉及一种光斑尺寸转换器。本发明包括包层及硅芯；硅芯四周设置包层；沿光束传播方向，硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导、第十一绝热锥形波导、第十二绝热锥形波导、第十三绝热锥形波导、第十四绝热锥形波导、第十五绝热锥形波导、第十六绝热锥形波导及输出端。本发明光斑尺寸转换器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。
-
公开(公告)号：CN118465921A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410639140.7
申请日：2024-05-22
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种模式尺寸转换器。本发明包括包层及硅芯；硅芯四周设置包层；沿光束传播方向，硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导及输出端；本发明提出的模式尺寸转换器实现了超紧凑型器件的设计，可以用于光子集成芯片中各个不同功能单元之间的级联，实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。
-
公开(公告)号：CN119065058A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411332513.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE2模式和TM1模式之间转换的双层绝热转换器。本发明包括第一硅芯、第二硅芯及包层；所述第一硅芯设置在第二硅芯下方；所述第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；所述第一硅芯与第二硅芯的折射率均为nSi＝3.455；所述第二硅芯厚度为h2＝200nm，宽度为W＝1μm；所述第一硅芯厚度为h1＝200nm，宽度为w＝2Wside+W，其中Wside为侧肋宽度；入射光束波长设置为1.55μm；沿光束传播方向，所述第一硅芯包括依次连接的输入端、绝热模式转换器及输出端，实现TE2模式和TM1模式之间转换。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.025 seconds)
