公开(公告)号：CN107388976A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710236373.2

申请日：2017-04-12

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： I.阿门特 ,  M.贝克

IPC: G01B11/06 ,  G01N21/41

CPC classification number: G01B11/0616 ,  B82Y10/00 ,  G01J1/0238 ,  G01J1/429 ,  G01N21/41 ,  G01N21/4785 ,  G01N21/554 ,  G01N21/94 ,  G01N2021/9511 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G01B11/0625

Abstract: 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。

公开(公告)号：CN107388976B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710236373.2

申请日：2017-04-12

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： I.阿门特 ,  M.贝克

IPC: G01B11/06 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。

公开(公告)号：CN105074576B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480016112.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： H.H.P.T.贝克曼 ,  D.H.埃姆 ,  J.休布雷格特斯 ,  A.J.斯托姆 ,  T.格雷伯 ,  I.阿门特 ,  D.斯米茨 ,  E.特斯莱特 ,  A.库兹尼特索夫

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B1/14 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B1/14 ,  C23C16/56 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。

公开(公告)号：CN105074576A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480016112.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： H.H.P.T.贝克曼 ,  D.H.埃姆 ,  J.休布雷格特斯 ,  A.J.斯托姆 ,  T.格雷伯 ,  I.阿门特 ,  D.斯米茨 ,  E.特斯莱特 ,  A.库兹尼特索夫

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B1/14 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B1/14 ,  C23C16/56 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。