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公开(公告)号：CN103080842A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042049.8
申请日：2011-08-29
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F7/70891 , G21K1/062 , H05B6/10
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光装置(11)，其包含光学元件(1、18)，其中所述光学元件(1)中的至少一个具有用于在该光学元件(1)中以非接触方式产生电流的构件(2)，所述电流适合于至少在多个区域中加热该至少一个光学元件(1)。
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