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公开(公告)号：CN104756252A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380042309.0
申请日：2013-08-07
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 理查德·L·奈普
IPC: H01L27/01 , B81B7/04 , H01L23/66 , H01L23/00 , H01L27/08 , H01L49/02 , B81B3/00 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01L27/02
CPC classification number: H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01L27/01 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/0001
Abstract: 一种可变电容器(300)，其包括具有耦合到接合焊盘(30)的RF电极(202、402)的单元(200、400)。每个单元包括其电容可以借助于可移动电极来改变的多个MEMS器件(100)。所述MEMS器件放置在单元的密封腔中并且沿着单元的RF电极的长度彼此相邻地布置。可以调节每个单元的RF电极以获得RF线(402)和另外的接地电极(404)并且改变单元的RF电容而不影响MEMS单元的机械性能。每个单元具有与RF电容无关的相同的控制电容。这使得每个单元可以采用相同的、RF工作所要求的隔离电阻，并且因此使每个单元具有相同的寄生电容。这使得CMOS控制电路可以优化并且使单元的动态性能可以匹配。
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公开(公告)号：CN103907166A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280042774.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0051 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C1/00523 , H01G5/18
Abstract: 在MEMS装置中，膜着陆在RF电极上的方式可以影响装置性能。放置在RF电极上的凸块或限位器可以用于控制膜的着陆，从而控制MEMS装置的电容。可以调整凸块或限位器的形状和位置使之适应，使得即使在施加过电压时也确保膜的正确着陆。另外，凸块或限位器可以应用在膜本身上以控制膜在MEMS装置的顶部或上电极上的着陆。
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公开(公告)号：CN103889887A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280042820.6
申请日：2012-08-31
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC classification number: B81B7/00 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , B81C2203/0136 , H01G5/16 , H01H59/0009 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明的实施例通常涉及一种使用进行沉积以形成空腔密封层的层和/或进行沉积以形成释放电极的层而被锚固的MEMS装置。MEMS装置的开关元件会具有柔性部分或可移动部分，还会具有电连接到接地的固定部分或锚固部分。用于密封其中设置有开关元件的空腔的层还可以连接到开关元件的固定部分或锚固部分，以在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固。另外，用于形成电极之一的层可以用于提供在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固的另外的杠杆。在任一情况下，都不妨碍柔性部分或可移动部分的移动。
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公开(公告)号：CN103828050A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280042848.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺 , 理查德·L·奈普 , 罗伯特·加迪 , 拉希德·马哈米德
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0097 , B81B7/04 , B81B2201/018 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0172 , B81B2203/0307
Abstract: 本发明一般涉及一种MEMS装置，该装置具有多个悬臂，所述悬臂在锚固区耦连和/或通过在所述悬臂中心区域耦连的管脚耦连。所述管脚保证了每个悬臂能够在相同的电压下从RF电极上移动/释放。所述锚固区的耦连在悬臂的所有部分中匹配机械刚度，使得所有的悬臂同时移动。
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公开(公告)号：CN103907166B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201280042774.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0051 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C1/00523 , H01G5/18
Abstract: 在MEMS装置中，膜着陆在RF电极上的方式可以影响装置性能。放置在RF电极上的凸块或限位器可以用于控制膜的着陆，从而控制MEMS装置的电容。可以调整凸块或限位器的形状和位置使之适应，使得即使在施加过电压时也确保膜的正确着陆。另外，凸块或限位器可以应用在膜本身上以控制膜在MEMS装置的顶部或上电极上的着陆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103748646B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280040288.4
申请日：2012-08-17
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯特·加迪 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC classification number: H01G5/16 , H01G5/38 , H01G7/00 , H01H59/0009 , Y10T29/43
Abstract: 本发明一般涉及一种用于RF和微波应用的可变电容器。可变电容器包括电耦接有多个单元的接合焊盘。多个单元中的每个中具有多个MEMS装置。MEMS装置共享公共RF电极、一个或更多个接地电极和一个或更多个控制电极。RF电极、接地电极和控制电极都彼此平行地布置在单元内。RF电极使用不同层级的电布线金属电连接至一个或更多个接合焊盘。
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公开(公告)号：CN103843090B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280042873.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯特·加迪 , 理查德·L·奈普 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC classification number: H01L28/60 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01G5/40 , H01H59/0009 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K2217/0009 , H03K2217/0036 , H03K2217/009
Abstract: 本发明一般涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。
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公开(公告)号：CN104756252B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380042309.0
申请日：2013-08-07
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 理查德·L·奈普
IPC: H01L27/01 , B81B7/04 , H01L23/66 , H01L23/00 , H01L27/08 , H01L49/02 , B81B3/00 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01L27/02
CPC classification number: H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01L27/01 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/0001
Abstract: 一种可变电容器(300)，其包括具有耦合到接合焊盘(30)的RF电极(202、402)的单元(200、400)。每个单元包括其电容可以借助于可移动电极来改变的多个MEMS器件(100)。所述MEMS器件放置在单元的密封腔中并且沿着单元的RF电极的长度彼此相邻地布置。可以调节每个单元的RF电极以获得RF线(402)和另外的接地电极(404)并且改变单元的RF电容而不影响MEMS单元的机械性能。每个单元具有与RF电容无关的相同的控制电容。这使得每个单元可以采用相同的、RF工作所要求的隔离电阻，并且因此使每个单元具有相同的寄生电容。这使得CMOS控制电路可以优化并且使单元的动态性能可以匹配。
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公开(公告)号：CN105593158A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201580001969.3
申请日：2015-04-23
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 詹姆斯·道格拉斯·霍夫曼 , 乔公国 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 卡尔·F·斯麦林 , 维克拉姆·乔希
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/003 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , G01R27/2605 , H01G5/16 , H01L23/5228 , H01L29/93
Abstract: 本发明总体涉及用于测试MEMS迟滞的机构。电源管理电路可以耦合到使布置在电极之间的可移动板在MEMS器件中移动的电极。电源管理电路可以利用电荷泵、比较器以及梯形电阻。
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公开(公告)号：CN103502139B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280019348.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 威利布罗德·杰拉杜斯·玛丽亚·凡登豪克 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 理查德·L·奈普 , 查尔斯·G·史密斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L29/84 , B81B3/0059 , B81B7/0035 , B81B2203/0127 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C1/00682
Abstract: 本发明通常涉及用于通过凭借将气体引入到包围MEMS设备的切换元件的腔体中来降低切换时的冲击速度来延长MEMS设备的寿命的方法。利用将离子注入到在容纳切换元件的腔体附近并经由通道连接到该腔体的腔体中来引入所述气体，气体可以通过所述通道从一个腔体流动到另一个腔体。注入能量选择为将许多原子注入靠近腔体的内顶部和底部，使得退火时那些原子扩散进入腔体内。气体提供降低切换MEMS设备的动能的气体阻尼，于是所述切换MEMS设备应具有更长的寿命。
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