-
公开(公告)号：CN107068553A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610817215.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化深度。停止层、介电层和有源区的热膨胀系数(CTE)是不同的。
-
公开(公告)号：CN106298931A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610053829.7
申请日：2016-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28568 , H01L21/28088 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/66477
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、至少一个层、金属粘着层和金属结构。在衬底上设置层。层具有开口并且开口具有底面和至少一个侧壁。在暴露出开口的侧壁的至少部分的同时，在开口的底面上设置金属粘着层。在开口中和金属粘着层上设置金属结构。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
-
公开(公告)号：CN113889532B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110241119.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
-
公开(公告)号：CN115249657A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210667904.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及晶体管器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法包括：去除第一虚设栅极结构以围绕第一纳米结构和第二纳米结构形成凹部；利用可流动化学气相沉积(CVD)在凹部中沉积牺牲层；以及图案化牺牲层以留下牺牲层在第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分。该方法还包括：在凹部中沉积第一功函数金属；从凹部去除第一功函数金属以及牺牲层的该部分；在凹部中沉积第二功函数金属，其中，第二功函数金属具有与第一功函数金属相反的导电类型；以及在凹部中在第二功函数金属之上沉积填充金属。
-
公开(公告)号：CN107068553B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201610817215.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化深度。停止层、介电层和有源区的热膨胀系数(CTE)是不同的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409749A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610071466.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/3065 , H01L21/31051 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。
-
公开(公告)号：CN113889532A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110241119.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
-
公开(公告)号：CN106409749B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610071466.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/3065 , H01L21/31051 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。
-
公开(公告)号：CN107275285B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201611153626.1
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个绝缘体、以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和多个沟槽之间的至少一个半导体鳍。绝缘体设置在沟槽中并且包括分布在其中的掺杂区域。栅极堆叠件部分覆盖至少一个半导体鳍和绝缘体。还讨论了用于制造前述FinFET的方法。
-
公开(公告)号：CN106298931B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201610053829.7
申请日：2016-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、至少一个层、金属粘着层和金属结构。在衬底上设置层。层具有开口并且开口具有底面和至少一个侧壁。在暴露出开口的侧壁的至少部分的同时，在开口的底面上设置金属粘着层。在开口中和金属粘着层上设置金属结构。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.042 seconds)
