公开(公告)号：CN113880039A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110747766.6

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许希丞 ,  李国豪 ,  翁睿均 ,  胡景翔 ,  蒋季宏 ,  拉瓦亚沙纳卡瓦拉普 ,  林家妤 ,  洪嘉骏 ,  李佳烜 ,  江煜培

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。

公开(公告)号：CN113880039B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202110747766.6

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许希丞 ,  李国豪 ,  翁睿均 ,  胡景翔 ,  蒋季宏 ,  拉瓦亚沙纳卡瓦拉普 ,  林家妤 ,  洪嘉骏 ,  李佳烜 ,  江煜培

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。

公开(公告)号：CN114709140A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110505952.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许希丞 ,  翁睿均 ,  李国豪 ,  胡景翔 ,  蒋季宏 ,  林家妤 ,  洪嘉骏 ,  涂延杰 ,  苏健泰 ,  陈信宇

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/544

Abstract: 通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置被对准。切割道能够在衬底中沿单个方向排列以补偿衬底沿着单个轴的热膨胀，或者能够沿多个方向排列以补偿辐射对称的热膨胀。