公开(公告)号：CN110783410B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910694119.6

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴家扬 ,  张简旭珂 ,  王廷君 ,  游咏晞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109786318A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811347065.8

申请日：2018-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴家扬 ,  张简旭珂 ,  王廷君 ,  游咏晞

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成介电结构于晶体管上，形成第一凹陷于介电结构中，以及形成第一阻障层于第一凹陷的第一内壁上。第一阻障层具有第一开口位于介电结构的第一部分之上，且靠近第一凹陷的第一底表面的第一阻障层比靠近介电结构的顶表面的第一阻障层厚。此方法还包含经由第一开口移除第一部分，以形成第二凹陷于介电结构中，以及形成第二阻障层于第二凹陷的第二内壁上，第二阻障层具有第二开口于第二凹陷中。此方法也包含形成接点层于第一开口和第二开口中。

公开(公告)号：CN110783410A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694119.6

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴家扬 ,  张简旭珂 ,  王廷君 ,  游咏晞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。