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公开(公告)号：CN104051486A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410087676.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封环是沟槽结构或填充的沟槽结构。通过弯曲的弧线或多条以不同的角度连接在一起的线段形成圆形的角结。包括一个或多个封闭的多边形的角结包括多边形，该多边形的至少一条多边形边由密封环边中的一条形成。
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公开(公告)号：CN102222674B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010279058.6
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/18
Abstract: 本发明描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法，其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或深度可以不充分的长波长光或光线来说特别有用，尤其是对于背面照度BSI器件。反射屏可以使穿过图像传感器并反射回到光电二极管的光的吸收深度加倍或者比两倍还多。凹形反射屏具有引导反射光朝向图像传感器的附加优点。
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公开(公告)号：CN104051476B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310351553.7
申请日：2013-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 除了其他方面，本发明提供了一种或多种图像传感器以及用于形成这样的图像传感器的方法。图像传感器包括被配置以检测光的光电二极管阵列。填充栅格形成在光电二极管阵列上方，诸如介电栅格上方。填充栅格包括一个或多个填充结构，诸如提供到达第一光电二极管的光传播路径的第一填充结构，该光传播路径主要经过第一填充结构。这样，减轻了第一光电二极管检测之前沿光传播路径的光的信号强度的衰减。图像传感器包括将光引导向对应的光电二极管的反射层。例如，第一反射层部分将光引导向第一光电二极管并且远离第二光电二极管。这样，减轻了通过不适当的光电二极管检测光产生的串扰。本发明还公开了具有沟槽式填料栅格的图像传感器。
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公开(公告)号：CN104051501A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410006691.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L27/14634
Abstract: 具体地，本发明提供了用于集成电路的一个或多个支撑结构和用于形成这种支撑结构的技术。支撑结构包括一个或多个沟槽结构，诸如环绕集成电路外围所形成的第一沟槽结构和第二沟槽结构。在一些实施例中，根据局部衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得在衬底的区域内形成相应的沟槽结构。在一些实施例中，根据非连续的衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得相应的沟槽结构包括通过衬底的分离区域间隔开的一个或多个沟槽部分。支撑结构减弱到达集成电路的应力能，并且有利于从集成电路释放工艺感生电荷。
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公开(公告)号：CN103794613A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310028371.6
申请日：2013-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , G02F1/136209 , H01L27/14623 , H01L27/14645
Abstract: 本文提供了用于形成黑电平校正(BLC)结构的一种或多种技术。在一些实施例中，BLC结构包括第一区域、位于至少一部分第一区域之上的第二区域以及位于至少一部分第二区域之上的第三区域。例如，第一区域包括硅，以及第三区域包括钝化电介质。在一些实施例中，第二区域包括第一子区域、位于第一子区域之上的第二子区域以及位于第二子区域之上的第三子区域。例如，第一子区域包括金属硅化物，第二子区域包括金属以及第三子区域包括金属氧化物。例如，以此方式提供了BLC结构，使得BLC结构的表面齐平，这至少是因为第三区域齐平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101924113B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010156924.2
申请日：2010-04-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76229 , H01L21/823878 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及半导体制造工艺。本发明实施例关于双重浅沟槽隔离。在关于互补式金属-氧化物-半导体图像传感器技术的不同实施例中，双重STI表示一STI结构位于像素区，而另一STI结构位于周边或逻辑区。每一STI结构的深度取决于每一区中装置的需求及/或隔离容限。在一实施例中，像素区采用NMOS装置且此区的STI结构浅于周边区的STI结构，周边区采用NMOS装置及PMOS装置，具有P型及N型阱且需要更佳防护的隔离(即，较深的STI)。取决于实施方式，本发明不同方法实施例可采用不同数量的掩模层(例如，二或三个)来制作双重STI。本发明可以降低暗电流漏电，因而改善暗信号效能。
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公开(公告)号：CN103165633A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210490869.X
申请日：2012-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14698
Abstract: 本发明涉及一种背照式CMOS图像传感器，包括使用正面离子注入工艺形成在衬底上方的光电有源区域以及与该光电有源区域相邻形成的延伸的光电有源区域，其中，通过使用背面离子注入工艺来形成延伸的光电有源区域。背照式CMOS图像传感器可以进一步包括位于衬底背面上的激光退火层。延伸的光电有源区域有助于增大光子到电子的转化量，从而改善了量子效率。
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公开(公告)号：CN105023928B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201410311837.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN104253099B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201310485244.9
申请日：2013-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L24/05 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括设置在衬底上的光感测区的半导体器件，该半导体器件包括具有位于焊盘元件下方的一个或多个图案化的层的接合结构。焊盘元件可连接至光感测区并且可形成在设置在衬底上的第一金属层中。器件的第二金属层具有第一接合区，第一接合区是位于焊盘元件下方的第二金属层的区域。第二金属层的第一接合区包括被介电质介入的多个导线的图案。通孔连接焊盘元件和第二金属层。本发明还提供了一种制造接合结构的方法。
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公开(公告)号：CN107154412A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710064474.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/23212 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H04N5/2254 , H01L27/14603 , H01L27/14625
Abstract: 本发明的实施例公开了集成电路器件。该集成电路器件包括焦点检测像素和透镜。该焦点检测像素包括衬底中的感光单元和非感光单元。该透镜设置在焦点检测像素上方，其中，感光单元和非感光单元相对于透镜的光轴彼此相对设置，并且穿过透镜的光束同时入射至感光单元和非感光单元。
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