公开(公告)号：CN105224978B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201410392742.3

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧焕廷 ,  徐安泰 ,  曹佩华 ,  蔡承纮 ,  陈翠媚 ,  卢乃诚

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G01R31/3025 ,  G01R31/2822 ,  G06K7/10316 ,  G06K7/10336 ,  G06K7/10366 ,  G06K19/0722 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/304 ,  H01L22/34

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种在测试中检测管芯中的边缘裂缝的方法。该方法包括以下操作：接收指令信号；由指令信号提供功率；基于指令信号提供响应信号；以及基于指令信号自毁。本发明还涉及边缘裂缝检测系统。

公开(公告)号：CN109979903A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811426233.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹佩华 ,  陈承先 ,  蔡承纮 ,  张国钦 ,  朱立寰

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的至少一个凸块结构。至少一个凸块结构包括设置在衬底上方的由金属形成的柱，该金属相对于铜或铜合金与焊料相比具有更低的可焊性。焊料合金形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的金属的上表面正上方并且与金属的上表面接触。该柱具有大于10μm的高度。本发明实施例涉及具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109979903B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201811426233.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹佩华 ,  陈承先 ,  蔡承纮 ,  张国钦 ,  朱立寰

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的至少一个凸块结构。至少一个凸块结构包括设置在衬底上方的由金属形成的柱，该金属相对于铜或铜合金与焊料相比具有更低的可焊性。焊料合金形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的金属的上表面正上方并且与金属的上表面接触。该柱具有大于10μm的高度。本发明实施例涉及具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105224978A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410392742.3

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧焕廷 ,  徐安泰 ,  曹佩华 ,  蔡承纮 ,  陈翠媚 ,  卢乃诚

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G01R31/3025 ,  G01R31/2822 ,  G06K7/10316 ,  G06K7/10336 ,  G06K7/10366 ,  G06K19/0722 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/304 ,  H01L22/34

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种在测试中检测管芯中的边缘裂缝的方法。该方法包括以下操作：接收指令信号；由指令信号提供功率；基于指令信号提供响应信号；以及基于指令信号自毁。本发明还涉及边缘裂缝检测系统。