公开(公告)号：CN116367677A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310501754.4

申请日：2023-05-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宇 ,  暴欣宇 ,  白雪 ,  郜艳波 ,  武振楠 ,  陆敏

IPC: H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K71/00 ,  H10K50/10

Abstract: 本发明涉及钙钛矿发光二极管技术领域，公开了一种柔性准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，所述一种柔性准二维钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：将PET/ITO基地，用无尘布蘸取无水乙醇反复擦拭，随后运用紫外臭氧机清洗；将PEDOT:PSS溶液旋转涂布的方式沉积到步骤1所得的基底表面，再进行后期退火。本发明采用改良过的反溶剂薄膜制备工艺，通过将聚乳酸添加剂引入钙钛矿薄膜中，可形成致密且缺陷密度低的钙钛矿薄膜。还可形成具有高柔韧性的钙钛矿薄膜，制备所得的柔性钙钛矿发光二极管的发光效率和柔韧性有明显提升，且本发明的制备方法操作简单，耗时少，效率高。

公开(公告)号：CN114497431A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210072209.3

申请日：2022-01-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宇 ,  郜艳波 ,  白雪 ,  于伟泳 ,  陆敏 ,  武振楠 ,  暴欣宇

IPC: H01L51/56 ,  C09K11/66 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开了一种准二维薄膜制备方法，属于发光二极管和显示技术领域，解决了现有准二维薄膜制的工艺复杂和效率低的问题，其技术要点是：包括所述的钙钛矿薄膜是由三维钙钛矿纳米晶和准二维钙钛矿薄膜组成，其中三维钙钛矿纳米晶表面由合适长链有机配体进行改性，以适应薄膜内部的级联能量传递过程，通过在反溶剂中引入带有特定基团的三维钙钛矿纳米晶，在薄膜制备过程中纳米晶可以作为结晶种子，调控薄膜的结晶生长动力学过程，钝化内部缺陷，降低薄膜内部本身的非辐射复合机率，又可以构建小n相到三维钙钛矿纳米晶的额外载流子传输通道，促进光生载流子辐射复合有效地提高薄膜的光发射效率，具有制备工艺简单和效率高的优点。

公开(公告)号：CN114649492A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210284797.7

申请日：2022-03-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宇 ,  暴欣宇 ,  白雪 ,  郜艳波 ,  陆敏 ,  武振楠

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明适用于发光二极管技术领域，提供了双功能团修饰的准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，双功能团修饰的准二维钙钛矿发光二极管包括依次层叠设置的透明导电衬底、空穴传输层、基于双功能团有机分子修饰的钙钛矿发光层、电子传输层、界面修饰层及金属电极。本发明通过在钙钛矿发光层中加入双功能团有机分子，调控薄膜内部的辐射以及非辐射过程，从而提高器件的发光性能。