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公开(公告)号：CN106629814A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710050434.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C01G3/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/30 , C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2006/12 , C25B1/04 , C25B11/04
Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂的氧化亚铜的三维纳米多孔材料的制备以及其在电化学析氢方面的应用。本发明主要通过常温浸泡的方法在三维泡沫铜上合成了硫化亚铜纳米棒作为前躯体，在电化学制备的过程中得到硫掺杂的氧化亚铜纳米多孔材料。本发明主要应用于电化学析氢，采用线性扫描曲线(极化曲线)检测其催化活性大小，并用循环伏安曲线对材料的稳定性进行了测试。本发明通过操作简便的方法合成Cu2OxS1‑x纳米多孔结构增大材料比表面积，铜与氧结合协同了铜周围的活性位点，提高了铜对氢的吸附能力，进一步阴离子硫掺杂大幅度提高材料的催化活性，提高了电化学析氢的催化效率，并有效的提高了催化剂的稳定性。
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公开(公告)号：CN106876731A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710050428.0
申请日：2017-01-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级二硫化钼超结构制备方法以及将其作为电化学析氢催化剂的应用。本发明主要通过一步溶剂热合成了二硫化钼纳米超结构材料，得到的复合材料经过超声分散后，修饰在玻碳电极上，得到二硫化钼纳米超结构修饰电极。本发明主要应用于电化学析氢，采用线性扫描曲线(极化曲线)检测合成的二硫化钼纳米超结构的催化活性大小，并用循环伏安曲线对二硫化钼纳米超结构材料的稳定性进行了测试。本发明充分利用二硫化钼纳米超结构的暴露边界活性位点以及纳米尺寸效应的共同作用，提高了电化学析氢的催化效率，并有效的提高了催化剂的稳定性便于较长时间在酸性环境下的使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106319559A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610702660.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单原子尺寸效应的高丰度单原子钴阵列电催化制氢纳米材料。该材料在水热法制备片层状二硫化钼及溶剂热法制备钴纳米片的基础上，通过超声成键的方法，将钴纳米片修饰于二硫化钼材料的表面。之后，将得到的钴纳米片与二硫化钼的异质结构采用酸性条件下电化学扫描的方法，将表面多余的钴原子除去，最终得到了具有高丰度的单原子钴修饰的二硫化钼片层状纳米材料。该新型电催化材料具有良好的电化学制氢催化性能。
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公开(公告)号：CN106629814B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710050434.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂的氧化亚铜的三维纳米多孔材料的制备以及其在电化学析氢方面的应用。本发明主要通过常温浸泡的方法在三维泡沫铜上合成了硫化亚铜纳米棒作为前躯体，在电化学制备的过程中得到硫掺杂的氧化亚铜纳米多孔材料。本发明主要应用于电化学析氢，采用线性扫描曲线(极化曲线)检测其催化活性大小，并用循环伏安曲线对材料的稳定性进行了测试。本发明通过操作简便的方法合成Cu2OxS1‑x纳米多孔结构增大材料比表面积，铜与氧结合协同了铜周围的活性位点，提高了铜对氢的吸附能力，进一步阴离子硫掺杂大幅度提高材料的催化活性，提高了电化学析氢的催化效率，并有效的提高了催化剂的稳定性。
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公开(公告)号：CN106319559B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610702660.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单原子尺寸效应的高丰度单原子钴阵列电催化制氢纳米材料。该材料在水热法制备片层状二硫化钼及溶剂热法制备钴纳米片的基础上，通过超声成键的方法，将钴纳米片修饰于二硫化钼材料的表面。之后，将得到的钴纳米片与二硫化钼的异质结构采用酸性条件下电化学扫描的方法，将表面多余的钴原子除去，最终得到了具有高丰度的单原子钴修饰的二硫化钼片层状纳米材料。该新型电催化材料具有良好的电化学制氢催化性能。
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公开(公告)号：CN106830083A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710050764.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/20 , C01P2004/51 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种金属相二硫化钼的制备方法，属于纳米材料领域。主要解决的问题是，采用了一种离子超声辅助的方法制备了金属相的二硫化钼。其步骤是通过水热法合成半导体相的二硫化钼，然后在铜盐溶液中进行超声处理，使半导体相的二硫化钼原子发生重排，原子面滑移，从而产生了金属相的二硫化钼。本发明的优点：该制备方法具有简单，安全，经济，高效，可大批量合成等优点。
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