公开(公告)号：CN120048311A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510422553.4

申请日：2025-04-03

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 金威 ,  张梦瑶 ,  高家兴 ,  牟金华 ,  李珊珊 ,  娄存恺 ,  张羽 ,  刘志海

IPC: G11C13/04 ,  G02B6/26 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明属于智能光纤器件技术领域，具体涉及一种纤内调制的全光回音壁忆阻器，包括单模光纤、渐变多模光纤、光纤回音壁、光学相变材料薄膜、防氧化层薄膜、微纳探测光纤、扩束光束以及汇聚光束；单模光纤后焊接一段渐变多模光纤，在渐变多模光纤尾端熔融烧制光纤回音壁，依次在光纤回音壁表面镀光学相变材料薄膜、防氧化层薄膜，构建光纤回音壁忆阻器，利用微纳探测光纤探测回音壁的忆阻状态。本发明设计的全光回音壁忆阻器，以纤内调控的方式实现光纤回音壁的非易失性存储状态的调控，攻克当下光纤回音壁忆阻器依赖空间光调控的局限性，具备高速、低功耗、抗电磁干扰等特性，为光子忆阻器带来一种新型器件构型，助力光子神经拟态计算的发展。

公开(公告)号：CN120032690A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510398701.3

申请日：2025-03-31

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 金威 ,  牟金华 ,  高家兴 ,  张梦瑶 ,  孙家鹏 ,  李珊珊 ,  娄存恺 ,  张羽 ,  刘志海

IPC: G11C13/04 ,  G02B6/26 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明属于智能光纤器件技术领域，具体涉及一种多光学存储通道的光纤回音壁忆阻器，包括单模光纤、阶跃多模光纤、光纤回音壁、光学相变材料薄膜、防氧化层薄膜、第一微纳探测光纤、第二微纳探测光纤、汇聚光束、第一擦写脉冲光以及第二擦写脉冲光，阶跃多模光纤出射端面的光场分布为第一Bessel光场以及第二Bessel光场。本发明设计多光学存储通道的全光回音壁忆阻器，利用波分复用特种光场调控技术，以纤内调控的方式多个回音壁非易失性存储通道的调控，扩大了光纤回音壁忆阻器的存储容量，推动了光子忆阻器的研究，助力光子神经拟态计算的发展。