公开(公告)号：CN101276781A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710142260.2

申请日：2007-08-31

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： J·A·巴扬 ,  N·屠 ,  A·波达 ,  A·普拉布

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 描述了一种处理包括多个管芯的IC晶片的方法。焊料凸点形成在所述晶片的有源表面的键合焊盘上。所述凸点晶片的背面被粘合到第一安装带。在晶片仍固定到所述第一带的同时切割所述晶片，以提供多个独立的管芯。切割的管芯的有源表面然后被粘合到第二带，同时所述第一带仍然粘合到管芯的背面。所述第一带然后被去除。以这种方式，所述管芯的背面保持暴露并面朝上，同时所述管芯的有源表面粘合到所述第二带。所述方法允许使用不是针对用作倒装芯片贴片机而设计的常规贴片机。

公开(公告)号：CN102099904A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127418.6

申请日：2009-05-18

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： L·T·阮 ,  A·波达 ,  S·W·李 ,  A·S·普拉布

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/048 ,  B05D1/327 ,  B05D2252/02 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/027 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/1545 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 描述了用于形成触头阵列以供在封装一个或多个集成电路器件时使用的方法和布置。特别地，描述了用于形成具有小于约10µm的厚度、并且在特定实施例中在0.5至2µm之间的厚度的触头的各种方法。

公开(公告)号：CN101276781B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710142260.2

申请日：2007-08-31

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： J·A·巴扬 ,  N·屠 ,  A·波达 ,  A·普拉布

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 描述了一种处理包括多个管芯的IC晶片的方法。焊料凸点形成在所述晶片的有源表面的键合焊盘上。所述凸点晶片的背面被粘合到第一安装带。在晶片仍固定到所述第一带的同时切割所述晶片，以提供多个独立的管芯。切割的管芯的有源表面然后被粘合到第二带，同时所述第一带仍然粘合到管芯的背面。所述第一带然后被去除。以这种方式，所述管芯的背面保持暴露并面朝上，同时所述管芯的有源表面粘合到所述第二带。所述方法允许使用不是针对用作倒装芯片贴片机而设计的常规贴片机。

公开(公告)号：CN101355068A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810144619.4

申请日：2008-06-23

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： A·波达

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/43 ,  H01L2924/01006

Abstract: 用于衬垫下ESD和衬垫下有源区接合的接合垫叠层。一种布局改进与内层介电(ILD)材料改进的结合，以提供接合垫叠层，其仅具有一个或两个衬垫金属层，并且对于电路中的金(Au)和铜(Cu)引线都是鲁棒的。布局改进包括去除在顶部金属层和该顶部金属层之下的金属层之间位于钝化开口之下的区域(放置探针末端以及接合引线的位置)中的所有通路。这允许没有通路间断的更均匀的材料，因此降低了ILD中的应力集中点。ILD材料改进包括除了氧化硅层之外还添加一氮化硅层。传统上，ILD由旋涂或高密度等离子体(HDP)氧化物构成。在最高ILD层上的氧化物上生长氮化硅薄层提供一种显著增加了韧性的复合物，避免裂纹或其他损伤传入下面的有源电路和布线。

公开(公告)号：CN101355068B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810144619.4

申请日：2008-06-23

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： A·波达

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/43 ,  H01L2924/01006

Abstract: 用于衬垫下ESD和衬垫下有源区接合的接合垫叠层。一种布局改进与内层介电(ILD)材料改进的结合，以提供接合垫叠层，其仅具有一个或两个衬垫金属层，并且对于电路中的金(Au)和铜(Cu)引线都是鲁棒的。布局改进包括去除在顶部金属层和该顶部金属层之下的金属层之间位于钝化开口之下的区域(放置探针末端以及接合引线的位置)中的所有通路。这允许没有通路间断的更均匀的材料，因此降低了ILD中的应力集中点。ILD材料改进包括除了氧化硅层之外还添加一氮化硅层。传统上，ILD由旋涂或高密度等离子体(HDP)氧化物构成。在最高ILD层上的氧化物上生长氮化硅薄层提供一种显著增加了韧性的复合物，避免裂纹或其他损伤传入下面的有源电路和布线。

公开(公告)号：CN101276768A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710142251.3

申请日：2007-08-31

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： A·波达 ,  J·A·巴扬 ,  A·S·普拉布 ,  W·K·王

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49548 ,  H01L21/561 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及用于倒装芯片封装的组合倒置。本发明描述了用于封装集成电路的改进的方法和装置。更具体而言，描述了用于固定多个集成电路管芯到引线框面板的方法和装置。每个集成电路管芯包括具有多个焊料凸点的有源表面。所述引线框面板包括器件区域阵列，每个器件区域包括多个引线。所述方法包括将多个管芯放置到载体上指定的位置使得管芯的有源表面朝上。所述载体包括托架，该托架包括载体器件区域的相关阵列。引线框面板可以被放置在所述载体之上，使得所述管芯的有源表面上的焊料凸点与相关器件区域的相关引线相邻并接触。