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公开(公告)号：CN102792303A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013860.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/705
Abstract: 把半导体器件设计的光波数据分成多个区域(102)。只考虑每个区域的光波数据，对每个区域的光波数据执行第一波前工程。基于第一波前工程，规范化每个区域的光波数据(106)。至少基于规范化的每个区域的光波数据，对每个区域的光波数据执行第二波前工程(108)。第二波前工程考虑每个区域的光波数据和每个区域周围的包括每个区域的邻近区域的光波数据的保护带。可以通过把多个区域组织成组来并行地顺序执行第二波前工程(110)。
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公开(公告)号：CN101750881B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910222007.7
申请日：2009-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/70
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模布局数据选择目标边缘对以确定光刻掩模制造中的制造损失。掩模布局数据包括多个多边形，各多边形具有多个边缘，各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定。减少目标边缘对的数量，以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量。基于数量减少的目标边缘对确定光刻掩模的可制造性，包括确定光刻掩模制造中的制造损失。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
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公开(公告)号：CN101750880A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910208363.3
申请日：2009-11-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对，用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形，每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性，包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对确定制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数，确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
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公开(公告)号：CN112560885B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010783855.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： G·J·V·M·勒穆安 , P·维纳亚维金 , D·J·R·阿格拉万特 , 井上忠宣 , A·穆纳沃
IPC: G06F18/213 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G01S5/18
Abstract: 本公开的实施例涉及利用深度学习和有限数据进行多阵列声音应用的特征处理。本公开提供了一种用于多源声音定位的计算机实现的方法。方法包括：由硬件处理器从被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列中的相应多个麦克风提取频谱特征。方法还包括：由硬件处理器通过重新布置和复制来自被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列中的相应多个麦克风的频谱特征，形成来自被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列内的相应多个麦克风的频谱特征的对的相应集合。方法还包括：由硬件处理器将频谱特征的对的相应集合输入到神经网络中，以将频谱特征编码成深度特征，并对深度特征进行解码，以从神经网络输出一个或多个声音源的至少一个位置表示。
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公开(公告)号：CN115472154A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210554267.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的实施例涉及利用混合增强数据集进行声音异常检测。用于训练神经网络的方法和计算机程序产品对包括正常样本和异常样本两者的训练数据集的样本波形执行多个形式的数据增强，以生成正常数据增强样本和异常数据增强样本。根据对每个相应正常数据增强样本所执行的数据增强的类型来标记正常数据增强样本。根据不同于对每个相应异常数据增强样本所执行的类型的数据增强的类型来标记异常数据增强样本。使用正常数据增强样本和异常数据增强样本，神经网络模型被训练成标识已经对波形所执行的数据增强的形式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101750881A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910222007.7
申请日：2009-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模布局数据选择目标边缘对以确定光刻掩模制造中的制造损失。掩模布局数据包括多个多边形，各多边形具有多个边缘，各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定。减少目标边缘对的数量，以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量。基于数量减少的目标边缘对确定光刻掩模的可制造性，包括确定光刻掩模制造中的制造损失。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
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公开(公告)号：CN112560885A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010783855.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： G·J·V·M·勒穆安 , P·维纳亚维金 , D·J·R·阿格拉万特 , 井上忠宣 , A·穆纳沃
Abstract: 本公开的实施例涉及利用深度学习和有限数据进行多阵列声音应用的特征处理。本公开提供了一种用于多源声音定位的计算机实现的方法。方法包括：由硬件处理器从被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列中的相应多个麦克风提取频谱特征。方法还包括：由硬件处理器通过重新布置和复制来自被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列中的相应多个麦克风的频谱特征，形成来自被包括在两个或更多个麦克风阵列中的每个麦克风阵列内的相应多个麦克风的频谱特征的对的相应集合。方法还包括：由硬件处理器将频谱特征的对的相应集合输入到神经网络中，以将频谱特征编码成深度特征，并对深度特征进行解码，以从神经网络输出一个或多个声音源的至少一个位置表示。
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公开(公告)号：CN102792303B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180013860.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/705
Abstract: 把半导体器件设计的光波数据分成多个区域(102)。只考虑每个区域的光波数据，对每个区域的光波数据执行第一波前工程。基于第一波前工程，规范化每个区域的光波数据(106)。至少基于规范化的每个区域的光波数据，对每个区域的光波数据执行第二波前工程(108)。第二波前工程考虑每个区域的光波数据和每个区域周围的包括每个区域的邻近区域的光波数据的保护带。可以通过把多个区域组织成组来并行地顺序执行第二波前工程(110)。
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公开(公告)号：CN101750882B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910222443.4
申请日：2009-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
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公开(公告)号：CN101750882A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910222443.4
申请日：2009-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
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