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公开(公告)号：CN103367231B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310106471.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·A·卡米洛-卡斯蒂罗 , J·S·邓恩 , D·L·哈拉梅 , A·K·斯塔珀
IPC: H01L21/762 , H01L27/02 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。
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公开(公告)号：CN100555598C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN01111265.4
申请日：2001-03-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/302
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L23/5223
Abstract: 金属电容器由晶片的BEOL中的金属双重镶嵌工艺的一部分构成。电容器的下极板(27)夹在绝缘层(25)与介质层(29)之间。对边上的绝缘层邻接金属层(23，24)，并且介质层把电容器的下极板层(27)与上极板层(59)分隔开。下极板的一部分(27A)介进要用铜(63)填充的邻近的通孔(37)中。通孔向上伸到有上极板的公用表面但与上极板电隔开。通孔还向下延伸到金属层。
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公开(公告)号：CN103227619B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310022416.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/13 , G06F17/5081 , H01L41/08 , H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6413 , H03H2003/0071 , H03H2009/02299 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐滤波器、制造方法和设计结构。形成所述滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极。该方法还包括在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极。该方法还包括形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。
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公开(公告)号：CN103183309B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310001397.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0008 , B81B3/0013 , B81B2201/0221 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/019 , B81C1/0015 , H01G5/18
Abstract: 本发明公开了微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。所述方法包括在基底上形成至少一个固定电极。所述方法还包括在所述至少一个固定电极之上以从微机电系统（MEMS）梁的顶部观看的变化的宽度尺寸形成所述MEMS梁。
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公开(公告)号：CN102782834A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180005787.5
申请日：2011-01-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , G03F9/7076 , G03F9/708 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471048A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035440.0
申请日：2010-08-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0018 , B81B2201/014 , B81C1/00333 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , G06F17/5068 , H01L21/302
Abstract: 提供了集成MEMS切换器、设计结构及这种切换器的制造方法。所述方法包括在切换器件(34)的侧面上形成牺牲材料(36)至少一个凸片(32a)，所述切换器件嵌于所述牺牲材料中。所述方法还包括通过在所述切换器件的所述侧面上的所述至少一个凸片上形成的至少一个开口清除所述牺牲材料，以及以覆盖材料密封所述至少一个开口。
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公开(公告)号：CN1211855C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN00126420.6
申请日：2000-08-31
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·K·斯塔珀
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01G4/005 , H01G4/228 , H05K1/00
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 包含铜导电线、通路和镶嵌线的互连包括：在其中具有开口的绝缘体或介质；在该开口的壁和底部上的第1扩散导电性阻挡衬垫材料；在该第1粘附材料层上的高导电性抗电迁移金属层，所述高导电性抗电迁移金属层具有预定的剖面面积并具有抗电迁移性能；在该高导电性抗电迁移金属层上的第2扩散导电性阻挡层；以及充填该开口的其余部分以便形成该线或通路的诸如铜的软的低电阻金属。这些互连具有被增强的工作和抗电迁移寿命。
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公开(公告)号：CN101866781B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010167452.0
申请日：2010-04-19
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01H59/0009 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及垂直集成电路开关及其制造方法。本发明提供垂直集成MEMS开关、设计结构以及制造这种垂直开关的方法。所述制造MEMS开关的方法包括在晶片中形成至少两个垂直延伸的过孔并用金属填充所述至少两个垂直延伸的过孔以形成至少两个垂直延伸的布线。所述方法还包括从底侧在所述晶片中开孔，以便所述垂直延伸的布线中的至少一个在所述孔内可移动。
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公开(公告)号：CN103367231A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310106471.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·A·卡米洛-卡斯蒂罗 , J·S·邓恩 , D·L·哈拉梅 , A·K·斯塔珀
IPC: H01L21/762 , H01L27/02 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。
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公开(公告)号：CN103258072A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310054155.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及可切换滤波器及设计结构。这里公开了可切换和/或可调滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，其包括被形成为与至少一个压电衬底接触的多个电极。该方法还包括形成包含MEMS梁的微机电结构（MEMS），其中在致动后，MEMS梁将通过交错与压电衬底接触的电极或者将至少一个压电衬底夹在电极之间，来开启至少一个压电滤波器结构。
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