公开(公告)号：CN102482119B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080039087.3

申请日：2010-07-13

Applicant: 塞里尼·迪乌姆

Inventor： 塞里尼·迪乌姆

IPC: C02F1/28 ,  C02F9/00

CPC classification number: C02F1/288 ,  A01N25/08 ,  A01N25/34 ,  C02F1/005 ,  C02F1/283 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/006 ,  C02F2301/046 ,  C02F2303/04 ,  C02F2305/08 ,  C23C14/046 ,  C23C14/185 ,  C23C14/223 ,  A01N59/16 ,  A01N59/20

Abstract: 本发明涉及流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)。该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)。另外，该金属化层(16)包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。本发明还涉及去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行。多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。

公开(公告)号：CN102482119A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039087.3

申请日：2010-07-13

Applicant: 塞里尼·迪乌姆

Inventor： 塞里尼·迪乌姆

IPC: C02F1/28 ,  C02F9/00

CPC classification number: C02F1/288 ,  A01N25/08 ,  A01N25/34 ,  C02F1/005 ,  C02F1/283 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/006 ,  C02F2301/046 ,  C02F2303/04 ,  C02F2305/08 ,  C23C14/046 ,  C23C14/185 ,  C23C14/223 ,  A01N59/16 ,  A01N59/20

Abstract: 本发明涉及流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)。该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)。另外，该金属化层(16)包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。本发明还涉及去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行。多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。