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公开(公告)号:CN106450011B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN201610836886.2
申请日:2016-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/842 , H10K71/00
Abstract: 本发明属于半导体照明技术领域,具体为一种基于可见光二次激发的的高显指白光LED及其制备方法。本发明LED的基本结构为:在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;配光透镜为半球形,将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源,通过调节三层量子点薄膜的厚度,来实现高光效,高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是,它不是用紫外光源直接激发三种发光层,而是用紫外激发C量子点产生蓝光,然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光,从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发,可以减少紫外光的泄露,并且选用材料绿色无毒,且成本低廉。
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公开(公告)号:CN106450011A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610836886.2
申请日:2016-09-21
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明属于半导体照明技术领域,具体为一种基于可见光二次激发的高显指白光LED及其制备方法。本发明LED的基本结构为:在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;配光透镜为半球形,将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源,通过调节三层量子点薄膜的厚度,来实现高光效,高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是,它不是用紫外光源直接激发三种发光层,而是用紫外激发C量子点产生蓝光,然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光,从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发,可以减少紫外光的泄露,并且选用材料绿色无毒,且成本低廉。
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公开(公告)号:CN106206975A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610836336.0
申请日:2016-09-21
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明属于量子点白光(QLED)技术领域,具体为一种基于InP/ZnS量子点的高显色可调色温QLED白光的实现方法。本发明首先制备高量子产率和窄半波宽度的InP/ZnS黄色量子点。本发明由蓝光芯片激发InP/ZnS黄色量子点(QY-LED)加红光LED和绿光LED,以及一个控制电路组成。通过调节控制电路,分别给QY-LED、红光LED和绿光LED提供不同驱动电流,产生不同光强的QY-LED、红光LED和绿光LED,从而产生不同色温的QLED白光,并获得在2700k-6500k色温范围内显色指数Ra和特殊显色指数R9都大于95色温可调的QLED白光。
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公开(公告)号:CN106764631A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611258840.3
申请日:2016-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: F21S6/00 , F21V21/06 , F21V23/04 , F21V23/00 , F21V21/108 , F21V23/06 , F21V19/00 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21Y115/10
CPC classification number: F21S6/002 , F21V19/001 , F21V21/06 , F21V21/108 , F21V23/003 , F21V23/04 , F21V23/06 , F21V29/74 , F21V29/89
Abstract: 本发明属于家居照明技术领域,具体为一种基于量子点光源的智能护眼台灯。本发明包括以下几个部分:量子点发光面板,灯具支架,底座,开关面板,配重块,驱动,电源线等几部分,与传统台灯不同,它是以量子点为发光材料,相比传统LED台灯,具备两个优势,第一更好的色温可调范围,能消除LED光源中蓝光对人眼的伤害,第二是该光源为面光源,能够避免传统LED单颗亮度太高而造成的眩光,与OLED光源相比,它是无机材料,具备更长的使用寿命。
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公开(公告)号:CN206059438U
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201621067535.1
申请日:2016-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本实用新型属于半导体照明技术领域,具体为一种基于可见光二次激发的高显指白光LED。本实用新型LED的基本结构为:在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;配光透镜为半球形,将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源,通过调节三层量子点薄膜的厚度,来实现高光效,高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是,它不是用紫外光源直接激发三种发光层,而是用紫外激发C量子点产生蓝光,然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光,从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发,可以减少紫外光的泄露,并且选用材料绿色无毒,且成本低廉。
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