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公开(公告)号:CN113453522A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110324853.0
申请日:2021-03-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 中川慎吾
IPC: H05K9/00
Abstract: 屏蔽构造包括:导电性的屏蔽框架,被配置在被搭载在电路基板的基板上面的电子部件的周围,以所述基板上面侧的下端与所述电路基板导通的方式被固定在所述基板上面,与所述下端为相反侧的上端侧被敞开;以及导电板,设置在所述屏蔽框架的所述上端侧,与所述电子部件以及所述屏蔽框架对向的区域成为被薄壁化的薄壁区域,在所述薄壁区域中与所述屏蔽框架被电性连接。
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