公开(公告)号：CN1303695C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410044696.4

申请日：2004-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8239 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7923

Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。

公开(公告)号：CN1303691C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410043186.5

申请日：2004-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1463 ,  H01L29/7923

Abstract: 半导体开关元件(31)和半导体存储元件(32)分别具有栅电极(3)、一对源区/漏区(13)和沟道形成区(19)。在半导体存储元件(32)的栅电极(3)的相对侧上提供具有电荷存储功能的存储功能体(25)。在半导体存储元件(32)中，当施加电压到栅电极(3)时，从源区/漏区(13)之一流到源区/漏区(13)中另一个的电流量随着保持在存储功能体(25)中的电荷量变化。

公开(公告)号：CN1551361A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044756.2

申请日：2004-05-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀 ,  足立浩一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/00 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。

公开(公告)号：CN1551352A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043186.5

申请日：2004-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1463 ,  H01L29/7923

Abstract: 半导体开关元件(31)和半导体存储元件(32)分别具有栅电极(3)、一对源区/漏区(13)和沟道形成区(19)。在半导体存储元件(32)的栅电极(3)的相对侧上提供具有电荷存储功能的存储功能体(25)。在半导体存储元件(32)中，当施加电压到栅电极(3)时，从源区/漏区(13)之一流到源区/漏区(13)中另一个的电流量随着保持在存储功能体(25)中的电荷量变化。

公开(公告)号：CN1574366A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410044696.4

申请日：2004-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8239 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7923

Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。

公开(公告)号：CN1319172C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410044756.2

申请日：2004-05-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岩田浩 ,  小仓孝之 ,  柴田晃秀 ,  足立浩一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/00 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0491 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。