公开(公告)号：CN101161766A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710181160.0

申请日：2007-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 两轮达也 ,  斋藤肇

IPC: C09K11/62 ,  C09K11/00

CPC classification number: C09K11/62 ,  C09K11/025 ,  C09K11/0883 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/817 ,  Y10S977/83 ,  Y10S977/834 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明披露具有芯/壳结构的纳米晶荧光体，所述芯/壳结构由第13族氮化物半导体的芯和覆盖芯的壳层形成，所述壳层包括13族氮化物混晶半导体的壳膜。该纳米晶荧光体具有高的发光效率并具有优异的可靠性。本发明还披露被覆纳米晶荧光体，通过使改性有机分子与纳米晶荧光体结合和/或用改性有机分子被覆纳米晶荧光体制得该被覆纳米晶荧光体。该被覆纳米晶荧光体具有高的分散性。本发明还披露通过加热混合溶液制备被覆纳米晶荧光体的方法，所述混合溶液包含第13族氮化物半导体的芯、含氮化合物、含第13族元素的化合物和改性有机分子。

公开(公告)号：CN101161766B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710181160.0

申请日：2007-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 两轮达也 ,  斋藤肇

IPC: C09K11/62 ,  C09K11/00

CPC classification number: C09K11/62 ,  C09K11/025 ,  C09K11/0883 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/817 ,  Y10S977/83 ,  Y10S977/834 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明披露具有芯/壳结构的纳米晶荧光体，所述芯/壳结构由第13族氮化物半导体的芯和覆盖芯的壳层形成，所述壳层包括13族氮化物混晶半导体的壳膜。该纳米晶荧光体具有高的发光效率并具有优异的可靠性。本发明还披露被覆纳米晶荧光体，通过使改性有机分子与纳米晶荧光体结合和/或用改性有机分子被覆纳米晶荧光体制得该被覆纳米晶荧光体。该被覆纳米晶荧光体具有高的分散性。本发明还披露通过加热混合溶液制备被覆纳米晶荧光体的方法，所述混合溶液包含第13族氮化物半导体的芯、含氮化合物、含第13族元素的化合物和改性有机分子。