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公开(公告)号：CN104854766B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN1495977A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164819.3
申请日：2003-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/123
Abstract: 本发明提供半导体激光装置和光学读写装置。半导体激光装置1具有半导体激光器8和布置在半导体激光器8前面的偏振衍射光栅15。根据反射光的偏振方向，来自光记录介质6的反射光被偏振衍射光栅15衍射。因此，反射光偏离朝向半导体激光器8的方向以防止反射光返回到半导体激光器8。
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公开(公告)号：CN108352049A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066306.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06T1/00 , A61B5/1171 , H01S5/022
CPC classification number: A61B5/1171 , G06T1/00 , H01S5/022
Abstract: 提供一种可以抑制装置大小及成本并提高摄像精度的摄像装置。摄像装置(1)具有向摄像对象(5)照射红外线光的半导体激光的光源(2)、在摄像对象(5)的表面遮蔽反射的光并在摄像对象(5)的内部使反射的光透射的偏振光滤光器(3)、接收透射偏振光滤光器(3)的光并摄像摄像对象(5)的摄像元件(4)。
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公开(公告)号：CN104854765A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003463.1
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/125 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B7/22 , G11B2005/0021 , H01S5/0226 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102088162A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010574071.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。
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公开(公告)号：CN104854765B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480003463.1
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。
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公开(公告)号：CN104854766A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN102088162B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010574071.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。
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公开(公告)号：CN1258251C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN03164819.3
申请日：2003-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/123
Abstract: 本发明提供半导体激光装置和光学读写装置。半导体激光装置(1)具有半导体激光器(8)和布置在半导体激光器(8)前面的偏振衍射光栅(15)。根据反射光的偏振方向，来自光记录介质(6)的反射光被偏振衍射光栅(15)衍射。因此，反射光偏离朝向半导体激光器(8)的方向以防止反射光返回到半导体激光器(8)。构造偏振衍射光栅(15)，使得对于具有第一偏振方向的光来说，除了零阶衍射光以外的衍射光线的衍射效率为百分之零，而对于具有垂直于第一偏振方向的第二偏振方向的光来说，零阶衍射光的衍射光的衍射效率为百分之零。
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