气相沉积装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1766159A

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:CN200510128301.3

    申请日:2005-09-27

    CPC classification number: C23C16/455 C23C16/54

    Abstract: 本发明的气相沉积装置具有:具有在其上夹持基板的基板夹持面的基板夹持部件,和用于向基板上提供源气体的气流通道。该气流通道具有上璧和下壁。开孔部分设置在气流通道下壁。基板夹持部件的基板夹持面装入开口部分,同时在基板夹持面和开孔部分之间形成一个空间。提供一种用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置。对于这种结构,由于设置有用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置,因此气体流出的流导性降低,这又减少流出气体的量的变化。这导致具有长寿命和高发光效率的氮化物半导体元件的高产率生产。

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