公开(公告)号：CN100364099C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410002837.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仲井淳一 ,  青木彻朗

IPC: H01L27/14 ,  G02B3/00 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种用于制造半导体器件的工艺，包括步骤：在含有光电转换部分的半导体衬底上形成透明膜，该透明膜具有在光电转换部分之上的凹面部分；在透明膜上形成材料膜，该材料膜由具有比该透明膜的折射系数更高的折射系数的光敏材料形成；以及用光线有选择地辐照该材料膜的预定部分，然后显影该材料膜，由此形成具有面对该凹面部分的凸面部分的层内透镜。

公开(公告)号：CN1518118A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002837.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仲井淳一 ,  青木彻朗

IPC: H01L27/14 ,  G02B3/00 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种用于制造半导体器件的工艺，包括步骤：在含有光电转换部分的半导体衬底上形成透明膜，该透明膜具有在光电转换部分之上的凹面部分；在透明膜上形成材料膜，该材料膜由具有比该透明膜的折射系数更高的折射系数的光敏材料形成；以及用光线有选择地辐照该材料膜的预定部分，然后显影该材料膜，由此形成具有面对该凹面部分的凸面部分的层内透镜。