公开(公告)号：CN1065967C

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN95104788.4

申请日：1995-05-04

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: G02F1/01 ,  G02B27/18

CPC classification number: G02B26/0858

Abstract: 制造薄膜可驱动反射镜阵列的方法，包括：(a)提供一底板；(b)在底板顶部淀积一分离层；(c)在分离层顶部相继形成一第一层、一电致位移层、一第二层、一弹性层和一待除层；(d)形成M×N支持单元阵列，各支持单元含有一导体；(e)进行图案形成以形成多层可驱动反射镜结构阵列；(f)把含有一晶体管阵列的有源矩阵粘接在该阵列上；(g)把基板分离开以形成上述薄膜可驱动反射镜阵列。对电致位移层的热处理在粘接上有源矩阵前进行，可避免晶体管因被加热而降低性能。

公开(公告)号：CN1176727A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN95196838.6

申请日：1995-11-22

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N5/74 ,  H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0858 ,  Y10S359/904

Abstract: 一种在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜阵列及其制造方法,所述阵列包括:一有源矩阵,包括一具有M×N连接端子阵列及一M×N晶体管阵列的基底以及一M×N致动机构的阵列,其中每一个致动机构均为双层结构,各致动机构均具有一致动部分及一反光部分,致动部分包括一第一薄膜电极的前部、一个上部电致位移件、一个中间电极、一个下部电致位移件和一个第二薄膜电极的前部;反光部分包括第一和第二薄膜电极的剩余部分;构成所述电致位移件的材料的特性在于:晶体不对称,显示无磁滞回线,并可以在摄氏200—300度间形成。

公开(公告)号：CN1160219A

公开(公告)日：1997-09-24

申请号：CN96105150.7

申请日：1996-05-09

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 池政范 ,  闵庸基

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02B26/0858 ,  Y10S359/90

Abstract: 一种薄膜致动的反射镜阵列，其中的致动结构包括弹性元件，一对导管，带有条纹的第二薄膜电极，薄膜电致偏移元件，和第一薄膜电极。其制造方法包括下述步骤：制备有源原模；沉积薄膜牺牲层；在薄膜牺牲层中，产生许多对空槽阵列；沉积弹性层；沉积第二薄膜层；在第二薄膜层上产生条纹；沉积薄膜电致偏移层和第一薄膜层；摹制第一薄膜层，薄膜电致偏移层，第二薄膜层和弹性层，形成薄膜保护层；去除薄膜牺牲层和薄膜保护层。

公开(公告)号：CN1265251A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN97182015.5

申请日：1997-03-05

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基 ,  崔允准

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

Abstract: 薄膜AMA具有基底,致动器,公共线,和反射元件(180)基底具有电引线和连接端子,致动器具有支撑层(130)。底电极(135),顶电极(145,和有源层(140)。公共线(150)形成于致动器的一部分上并连接到顶电极(145)。因为致动器形成于基底的一部分上,与形成电引线和连接端子的部分相邻,因此电引线和连接端子不会被损坏。由于公共线(150)厚厚地形成于致动器的一部分上,第二信号的压降最小,因此有足够的第二信号提供到顶电极(145)。因为反射元件(180)形成于第二牺牲层上,可提高反射元件(180)的平整度。

公开(公告)号：CN1254479A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN97182217.4

申请日：1997-05-27

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

Abstract: 一种用于制做用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜(401)的阵列的方法,该方法包括有步骤:设置一基底(310):在该基底的顶上沉积一薄膜待除层;在该薄膜待除层上生成M×N空腔的一阵列;在该薄膜待除层包括这些空腔的顶上沉积一弹性层;将该弹性层构型成M×N弹性部件(335)的一阵列;在该基底上形成M×N开关装置(415)的一阵列;在各弹性部件和开关装置的顶上沉积一钝化层(340)和一蚀刻剂阻止层(350);选择地去除该蚀刻剂阻止层和该钝化层以使这些弹性部件被暴露出;连续地在各弹性部件的顶上形成M×N第二薄膜电极(365)的一阵列和M×N薄膜电致位移部件(375)的一阵列;形成M×N第一薄膜电极的一阵列和接触部件的一阵列;去除该薄膜待除层,从而形成M×N致动机构的一阵列;用一待除材料覆盖该M×N致动机构的阵列;在该待除材料的顶上沉积一反射镜层:将该反射镜层构型成M×N反射镜的一阵列;及去除该待除材料,从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。为了防止有源矩阵的热损伤,在本发明的方法中,在所有高温处理完成后,在基底(310)上形成M×N开关装置(415)的一阵列,进而减少了在该开关装置(415)的阵列上出现的热损伤的可能性。

公开(公告)号：CN1047904C

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN94194178.7

申请日：1994-11-15

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基 ,  金明震

IPC: H04N9/31 ,  H04N5/74 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02B26/0858 ,  H04N5/7458 ,  H04N9/30 ,  Y10S359/904

Abstract: 一种用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列，包括一有源矩阵，一M×N薄膜致动机构阵列，各薄膜致动机构具有第一及第二致动部分(62a，62b)，各第一及第二致动部分包括至少一运动感应材料的薄膜层(67)、一对电极(70、71)，各电极位于运动感应薄膜层的顶及底上，一M×N支持元件(56)阵列，各支持元件(56)用于将各致动机构固定就位，从各致动机构上伸出悬臂，并使各致动机构与有源矩阵电连接，一反射光束的M×N反射镜层阵列，各反射镜层还包括一第一侧，一第二相对侧及该两侧之间的中间部分，其中各反射镜层的第一侧及第二相对侧分别固定在各致动机构的第一及第二致动部分(62a，62b)的顶上，以使当各致动机构中的第一及第二致动部分(62a，62b)响应施加在第一及第二电极(70，71)之间一电信号而发生变形时，相应反射镜层的中央部分发生倾斜但仍保持为平的，从而使所有的中央部分反射光束，提高了光效率。

公开(公告)号：CN1220067A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN97195061.X

申请日：1997-05-20

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0858 ,  H04N5/7458

Abstract: 一种M×N薄膜致动反射镜(295)阵列(200)包括一有源矩阵(210)和一M×N致动机构(220)阵列。各致动机构(220)包括一第一薄膜电极(292)、一薄膜电致位移元件(275)、一第二薄膜电极(265)、一弹性件(255)、一导管(282)以及一绝缘件(284)。在该阵列中,绝缘件(284)由某种绝缘材料如氧化物或氮化物做成,并形成于导管(282)顶面与第一薄膜电极(292)底面之间,因此减小了在第一薄膜电极(292)和第二薄膜电极(265)之间形成电接触的可能性。

公开(公告)号：CN1220068A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN97195063.6

申请日：1997-05-20

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0858 ,  Y10S359/904

Abstract: 本发明的M×N薄膜致动反射镜(295)的阵列(200)包括一有源矩阵(210)和一M×N致动机构(220)的阵列。各致动机构(220)包括一上薄膜电极、一薄膜电致位移部件、一下薄膜电极、一弹性部件和一导管。在该阵列中,由于在各致动反射镜中该上薄膜电极通过该导管被单独地电连接至有源矩阵(210)。如果一个薄膜致动反射镜因某种原因而变得无法工作,该阵列(200)中同一行或同一列内的其它薄膜致动反射镜不会受到影响。

公开(公告)号：CN1182519A

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：CN96193409.3

申请日：1996-03-07

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0858 ,  Y10S359/904

Abstract: 本发明的一种M×N薄膜致动反射镜反射镜阵列包括有源矩阵、绝缘层、蚀刻停止层和M×N致动结构阵列每个致动结构在其远端有一尖端,且有横穿其结构的蚀刻口,还包括一个带水平条的第一薄膜电极、一个薄膜电致位移单元、一个第二薄膜电极、一个弹性单元和一个导体。形成水平条、尖端和蚀刻口分别是为增加各个薄膜致动反射镜的光学效率,促进去除清洗剂和使薄膜待除层容易去除。

公开(公告)号：CN1160221A

公开(公告)日：1997-09-24

申请号：CN96105159.0

申请日：1996-05-13

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02B26/0858

Abstract: 一种M×N薄膜致动反射镜阵列，包括一有源矩阵，该有源矩阵包括一带有M×N对连接端阵列及M×N晶体管阵列的基底；及一M×N致动机构阵列，各致动机构有一致动及一反光部分，其中该致动部分还包括第一及第二部分。各致动机构具有第一薄膜电极、薄膜电致位移元件、第二薄膜电极、一弹性元件及第一和第二导管。由于第一部分中的第一薄膜电极各自地与偏置信号源电连接，且第二薄膜电极各自地与一晶体管电连接，各致动机构与阵列中同一行或列内的其它致动机构电断开，从而使偏置信号及电信号被各自地施加给各薄膜致动反射镜。