実装基板及び実装基板の製造方法

    公开(公告)号:JP2021184487A

    公开(公告)日:2021-12-02

    申请号:JP2021127724

    申请日:2021-08-03

    Inventor: 倉持 悟

    Abstract: 【課題】半導体チップの背面に放熱用の部材を取り付けても半導体装置全体の厚みが増加しない実装基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】実装基板10は、第1面13及び第1面13の反対側に位置する第2面14を有する基板12と、基板12の第1面側に位置し、基板12とは反対の側に露出した電極52を有する電子部品50と、電子部品50に対して基板12の第1面13と平行な方向に位置し、且つ、10μm以上の厚さを有する金属部材61と、電子部品50及び金属部材61を少なくとも部分的に覆う絶縁層34と、絶縁層上に位置する第1部分311と、絶縁層34を貫通し、第1部分311と電子部品50の電極52とを電気的に接続する第2部分312と、を有する導電層31と、を備える。 【選択図】図1

    貫通電極基板
    2.
    发明专利
    貫通電極基板 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021122066A

    公开(公告)日:2021-08-26

    申请号:JP2021085434

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 【課題】キャパシタの容量を制御し易い構造を有する貫通電極基板を提供する。 【解決手段】貫通電極基板は、第1面と第1面に対して反対の側の第2面とを有する基板と、第1面と第2面とを導通する貫通電極と、基板の第1面に配置され、貫通電極と電気的に接続された第1導電層と、第1導電層の上に配置された第1絶縁層と、第1導電層と第1絶縁層との間に配置された中間層と、を備え、中間層が、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、及び、金(Au)の少なくとも1つを含む層であり、第1絶縁層が、炭素を含有する窒化ケイ素である。 【選択図】図2

    貫通電極基板
    4.
    发明专利
    貫通電極基板 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020098923A

    公开(公告)日:2020-06-25

    申请号:JP2020016379

    申请日:2020-02-03

    Inventor: 倉持 悟

    Abstract: 【課題】工程数を低減でき、製造期間が短く歩留まりが向上する貫通電極基板を提供する。 【解決手段】貫通電極基板10は、第1面101及び第2面101、102を有し、第1面から第2面に向かう貫通孔120を有する第1基板100と、貫通孔に設けられた貫通電極110と、第1基板上に設けられた第1配線層130と、絶縁層139を介して第1配線層に接続する第2配線層160とを有する多層配線構造体199と、第2配線層と接続され、電子回路を有するチップ230、232と、チップの多層配線構造側とは反対側に配置された第2基板200と、チップが配置された領域の外周を囲むように連続的に設けられ、多層配線構造と第2基板の間に設けられたスペーサ240と、を有する。チップ及びスペーサは、接着層240を介して第2基板に接着される。接着層は、チップが設けられた第1領域201からスペーサが設けられた第2領域202まで連続している。 【選択図】図1

    貫通電極基板、半導体装置及び貫通電極基板の製造方法

    公开(公告)号:JP2018191003A

    公开(公告)日:2018-11-29

    申请号:JP2018137740

    申请日:2018-07-23

    CPC classification number: H01L23/12 H05K1/11 H05K3/28

    Abstract: 【課題】基板上において、導電層が上下に位置する関係に配置されるキャパシタ等を形成する場合であっても、2つの導電層の構造による導電層間のショートを生じさせない貫通電極基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。 【解決手段】貫通電極基板は、第1面11aと第1面に対向する第2面とを有する基板11と、基板を貫通する複数の貫通電極と、基板の第1面側に配置され、複数の貫通電極の少なくとも1つと電気的に接続された第1キャパシタ100とを有する。第1キャパシタは、基板の第1面側に配置され、貫通電極と電気的に接続された第1導電層12と、第1導電層の上に配置された絶縁層13と、絶縁層の上に配置された第2導電層14と、を含む。絶縁層は、第1導電層と第2導電層の間に配置された第1部分13aと、第1導電層の側面の少なくとも一部を覆う第2部分13bと、を有する。 【選択図】図3

    貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
    8.
    发明专利
    貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置 有权
    通过电极基板穿过电极基板和半导体器件

    公开(公告)号:JP2015103586A

    公开(公告)日:2015-06-04

    申请号:JP2013241392

    申请日:2013-11-21

    Abstract: 【課題】貫通孔内のガス溜まりに溜まるガスによる不具合を解消し、貫通孔内の充填物の脱落防止を可能とした貫通電極基板を提供する。 【解決手段】本発明の貫通電極基板は、第1面の第1開口と第2面の第2開口とを貫通する貫通孔を有する基板と、貫通孔内に配置された充填物と、を備え、第2開口は第1開口よりも大きく、かつ、第1開口と第2開口との間に平面視における面積が最も小さい最小開口部が存在し、第1面及び第2面の何れか一方に露出する充填物に接触するように配置された気体放出部を有する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过电极基板,其消除了积聚在通孔中的气体储存器中的气体的问题,并且可以防止通孔中的填料脱落。解决方案:本发明的通孔电极基板 包括:具有穿过第一表面上的第一开口和第二表面上的第二开口的通孔的基板; 和布置在通孔中的填料。 第二开口大于第一开口,并且在第一开口和第二开口之间存在平面图中具有最小面积的最小开口部分。 贯通电极基板还包括气体排出部,该气体排出部被配置成与暴露于第一面或第二面的填料接触。

    貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板、および半導体装置
    9.
    发明专利
    貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板、および半導体装置 有权
    通过电极基板,通过电极基板和半导体器件制造方法

    公开(公告)号:JP2015095590A

    公开(公告)日:2015-05-18

    申请号:JP2013234994

    申请日:2013-11-13

    CPC classification number: H01L2224/16145 H01L2224/48091 H01L2224/73257

    Abstract: 【課題】本発明は、貫通電極基板における貫通孔内の導電層の密着性を高めることを目的とする。 【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、第1面と、第1面の反対側の第2面とを有し、第1面と第2面とを貫通する貫通孔が形成された基板を準備し、第1面および貫通孔の側壁の第1面側の一部に第1導電性密着層を形成し、第2面および貫通孔の側壁の第2面側の一部に第2導電性密着層を形成し、第1導電性密着層と第2導電性密着層とに接し、かつ、第1導電性密着層と第2導電性密着層から露出した貫通孔の側壁に接して配置されるシード層を形成し、シード層に給電する電解めっきにより、シード層上に導電層を形成する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:增强通孔电极基板的通孔中的导电层的附着力。解决方案:制造贯通电极基板的方法包括制备具有第一表面和相对的第二表面的基板的步骤 形成贯通第一表面和第二表面的通孔,在第一表面侧的通孔的第一表面和侧壁的一部分上形成第一导电性粘附层的工序, 在所述第二表面侧的所述通孔的所述第二表面和所述侧壁的一部分上形成第二导电性粘附层的步骤,形成与所述第一导电性粘合层接触配置的种子层的步骤和所述第二导电性粘合 并且与从第一导电粘附层和第二导电粘合层露出的通孔的侧壁接触,以及用于形成cond的步骤 通过电解电镀在籽晶层上提供电源给种子层。

    高周波部品及びその製造方法
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021101483A

    公开(公告)日:2021-07-08

    申请号:JP2021047843

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 【課題】キャパシタを備える改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供する。 【解決手段】高周波部品10は、第1側に位置する第1面13及び第1側とは反対の第2側に位置する第2面14を含み、ガラスを有する基板12と、基板の第1面に位置するキャパシタ15と、を備える。キャパシタは、基板の第1面に位置する第1面第1導電層311と、第1面第1導電層上に位置する第1面第1絶縁層312と、第1面第1絶縁層上に位置する第1面第2導電層321と、を有する。第1面第1絶縁層は、6MV/cm以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。 【選択図】図1

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