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公开(公告)号：CN104040428B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201380004907.9
申请日：2013-02-15
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
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公开(公告)号：CN104040428A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004907.9
申请日：2013-02-15
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/34
Abstract: 本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
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公开(公告)号：CN109298591A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811233402.0
申请日：2013-02-15
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: G03F1/34
Abstract: 本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
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公开(公告)号：CN103998985B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201280062178.8
申请日：2012-12-21
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 本发明提供一种在用于液晶面板或EL面板的制造的大型光掩膜中，适合形成微细图案的半透明相移掩膜的结构、及其制造方法。进而，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。
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公开(公告)号：CN110083008A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910135819.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109298592A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811233403.5
申请日：2013-02-15
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: G03F1/34
Abstract: 本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
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公开(公告)号：CN103998985A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062178.8
申请日：2012-12-21
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 本发明提供一种在用于液晶面板或EL面板的制造的大型光掩膜中，适合形成微细图案的半透明相移掩膜的结构、及其制造方法。进而，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。
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公开(公告)号：CN108267927A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810164294.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 一种大型相移掩膜，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。
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公开(公告)号：CN103890657A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051359.0
申请日：2012-10-19
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。
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