公开(公告)号：CN108584864B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201810375861.6

申请日：2018-04-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  舒振 ,  赵欣悦 ,  单晗 ,  尹鹏和 ,  张悦 ,  杜立群 ,  徐征

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00

Abstract: 本发明公开一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法，属于微机电系统微加工技术领域。制备得到的MEMS继电器的基底和可动结构的材料均为柔性聚合物聚酰亚胺，而且聚酰亚胺基底可以从硅片上剥离下来，从而真正实现了继电器的柔性。本发明采用热氧化、磁控溅射、光刻、化学腐蚀、等离子体增强化学气相沉积、牺牲层去除等工艺实现MEMS继电器的结构。该方法制备出的MEMS继电器具有柔性，可以用于柔性电子领域。

公开(公告)号：CN108584864A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810375861.6

申请日：2018-04-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  舒振 ,  赵欣悦 ,  单晗 ,  尹鹏和 ,  张悦 ,  杜立群 ,  徐征

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/01 ,  B81C1/00349 ,  H01H49/00

Abstract: 本发明公开一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法，属于微机电系统微加工技术领域。制备得到的MEMS继电器的基底和可动结构的材料均为柔性聚合物聚酰亚胺，而且聚酰亚胺基底可以从硅片上剥离下来，从而真正实现了继电器的柔性。本发明采用热氧化、磁控溅射、光刻、化学腐蚀、等离子体增强化学气相沉积、牺牲层去除等工艺实现MEMS继电器的结构。该方法制备出的MEMS继电器具有柔性，可以用于柔性电子领域。