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公开(公告)号：CN118565697A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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公开(公告)号：CN118377217A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410804206.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及气体压力控制技术领域，尤其提供一种蝶阀开度的控制方法、控制器、系统和存储介质，该方法包括：基于腔体内部的当前压力和预设压力，确定控制误差信号以及误差信号变化率；基于当前压力和预先确定的电机步数与实际压力的对应关系，确定当前压力对应的实际步数；基于实际步数以及电机步数与修正参数的对应关系确定目标修正参数；对控制误差信号以及误差信号变化率进行模糊处理，得到PID调整量；基于目标修正参数、PID调整量以及初始时刻PID参数，确定当前时刻的PID参数；基于当前时刻的PID参数以及PID控制算法计算蝶阀的控制信号，控制信号用于控制蝶阀的开度。可以提高气体压力的控制精度。
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公开(公告)号：CN114717539A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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公开(公告)号：CN112556921A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011241981.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多接头的真空检测装置和薄膜规真空度检测方法，可通过多个接头同时连接多个待测薄膜规进行检测，检测时，若标准真空测量仪器的测得值没变化表示所有薄膜规均合格，若有变化表示其中至少一个薄膜规不合格，从而可通过对半排查的方式确定不合格薄膜规；与现有技术中只能逐个检测的方式相比，检测效率更高，操作更方便，且该多接头的真空检测装置的结构简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN111884607A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117148709A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311441738.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B11/42
Abstract: 本申请涉及真空蝶阀技术领域，具体提供了一种真空蝶阀控制方法、系统、电子设备及存储介质，该方法包括以下步骤：获取腔室内的实际气压信息，腔室与真空蝶阀连接；基于预先建立的曲线算法模型根据实际气压信息获取对应的实际阀门位置信息，并基于曲线算法模型根据预设的目标气压信息获取对应的目标阀门位置信息；基于PID控制根据实际阀门位置信息和目标阀门位置信息对真空蝶阀的阀门位置进行调整，以使实际阀门位置信息与目标阀门位置信息相同；该方法能够根据腔室内的气压自适应调节真空蝶阀的阀门位置，从而有效地提高真空蝶阀的调节效率和调节精度。
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公开(公告)号：CN114717539B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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公开(公告)号：CN111940756A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010753405.8
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开基于水相合成的合金半导体复合纳米材料制备方法及合金半导体复合纳米材料，所述制备方法包括纳米金种制备、纳米合金制备及复合纳米材料制备。本发明所提供的方法通过结合种子生长法和化学置换法，可制备得到两种或多种光电应用性质理想且粒径、厚度可控的复合纳米材料，所制备材料与其他单组分或其他方式合成的复合材料相比，局域表面等离子体耦合更理想，光热转换效率更高。
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公开(公告)号：CN119053000A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411332595.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子体源腔体结构，在环形腔体的出气口处设置具有孔道和第一螺旋叶片的螺旋分离器以及副驱动线圈，利用副驱动线圈产生的磁场约束等离子体的运动范围，使等离子体从孔道穿过，输出气流中的污染颗粒物不受该磁场影响从而在螺旋流动过程中与第一螺旋叶片和出气口内壁摩擦降速并最终被吸附，有效减少从出气口输出的等离子体中包含的污染颗粒物的含量。
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