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公开(公告)号：CN115411032A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211362345.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L27/092 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。
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公开(公告)号：CN115394216A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211283757.7
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G09F9/33
Abstract: 本公开涉及一种显示装置和显示设备，涉及显示技术领域。显示装置包括：第一发光单元、至少一个第二发光单元和合色棱镜。第一发光单元和至少一个第二发光单元分别设置在合色棱镜的不同入光面；合色棱镜用于将第一发光单元和第二发光单元的出射光合成后出射；第一发光单元包括多个第一发光元件；第二发光单元包括多个第二发光元件。第一发光单元为无源驱动模式；第二发光单元为有源驱动模式。本公开能够使各个发光单元的发光效率达到最大化，并且不影响亮度均匀性，确保显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN115621385A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211630824.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：第一保护层和发光芯片，第一保护层位于发光芯片的出光侧；发光芯片包括阵列排布的多个子发光区，发光芯片中与第一保护层接触的膜层和第一保护层的材料不同；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿第一保护层，第一凹槽结构与子发光区对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第一凹槽结构内。通过本公开的技术方案，避免了对发光芯片的损伤，提高了工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN115411032B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211362345.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 季华实验室(CN)
IPC: H01L27/092 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。
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公开(公告)号：CN114843383B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210764080.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构，包括尺寸面，所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括发光部分，所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面，所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度，并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构，通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115820210A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211423032.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及磁力研磨技术领域，尤其涉及一种磁性复合磨粒、研磨液及研磨装置。磁性复合磨粒包括多层，磁性复合磨粒的内核为磁性纳米颗粒，磁性纳米颗粒作为内核，主要是为了提供磁性，以与电磁铁配合控制磁性复合磨粒的分布。磁性纳米颗粒的外层包裹有聚合物，聚合物的外层包裹有多孔杂化膜层，多孔杂化膜层上嵌设有第一磨粒，多孔杂化膜层的外层包裹有第二磨粒。其外层包裹的第二磨粒在低压研磨时会起到主要的研磨作用，在研磨过程中，若第二磨粒不能起到足够的研磨效果时，第一磨粒会在压强较大处由于较大压强而释放，以此来增加研磨速度，增大工件凸起处的材料去除率。
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公开(公告)号：CN115621386B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211630926.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内，子发光区与第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。通过本公开的技术方案，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN115621386A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211630926.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内，子发光区与第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。通过本公开的技术方案，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN114843383A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210764080.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构，包括尺寸面，所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括发光部分，所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面，所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度，并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构，通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114839773A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210787811.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及光学系统技术领域，尤其涉及一种界面结构、显示装置及头戴式可视设备。界面结构，包括界面，所述界面结构还包括设置在界面内侧的红外发射器、红外接收器、第一偏振选择器和第二偏振选择器，所述红外发射器的信号发射窗口设有第一偏振选择器以发出第一偏振方向的红外光，所述红外接收器的信号接收窗口设有第二偏振选择器以接收第二偏振方向的红外光，所述第一偏振方向和第二偏振方向相互垂直，所述界面结构还包括偏振转换器，所述界面设有偏振转换器，以将经过界面的第一偏振方向的红外光转换为第二偏振方向的红外光。本技术方案可以在保证测量结果正确的情况下，减少红外发射器和红外接收器所占据的空间。
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