公开(公告)号：CN112930578A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980070030.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  株式会社明电舍

Inventor： 野田优 ,  北川纱映 ,  安井浩太郎 ,  杉目恒志 ,  高桥大造 ,  锦织祐市 ,  越智隼人 ,  高桥怜那 ,  深井利真

IPC: H01J35/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

Abstract: 一种在金属基座(4)上具备碳纳米管层(2)(是CNT层2。下同。)的CNT器件(1)(碳‑金属构造体)。将金属基座(4)经由焊料层(3)钎焊于CNT层(2)。在制造CNT器件(1)时，首先在耐热凹凸衬底(6)形成CNT层(2)。接着，将金属基座(4)经由焊料层(3)钎焊于耐热凹凸衬底(6)上的CNT层(2)。随后，自耐热凹凸衬底(6)剥离金属基座(4)(以及CNT层2)，将CNT层(2)自耐热凹凸衬底(6)转印于金属基座(4)。