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公开(公告)号：WO2008013244A1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：PCT/JP2007/064713
申请日：2007-07-26
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本発明の一般式（１－１） （式中、Ｘは、一般式（１－２） で示される基（式中、Ｒ ａ 及びＲ ｂ は、炭素原子数１～５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（１－２）で示される基又は炭素原子数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。） で示される有機ルテニウム錯体、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、およびビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムは、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適している。
Abstract translation: 由通式（1-1），双（乙酰丙酮）（1,5-己二烯）钌和双（乙酰丙酮）（1,3-戊二烯）钌的钌络合物表现出低熔点，显示出优异的耐水分稳定性， 空气和热量，并且适合于通过CVD方法形成膜。 （1-1）其中X表示由通式（1-2）表示的基团; Y表示由通式（1-2）表示的基团或具有1〜8个碳原子的直链或支链烷基; Z表示氢原子或碳原子数1〜4的烷基。 L表示具有至少两个双键的不饱和烃化合物：（1-2）其中R a，R b和R b独立地表示直链或支链烷基，其具有1〜 5个碳原子。
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公开(公告)号：WO2009011425A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/063035
申请日：2008-07-18
CPC classification number: C07F15/0093 , C07C49/92 , C23C16/18
Abstract: 本発明の有機白金錯体は、一般式（１）で示される新規白金錯体であり、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適している。 【化１】 （式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１～４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
Abstract translation: 公开了作为下述通式（1）表示的新型铂络合物的有机铂络合物。 该有机铂络合物具有低熔点，同时对水分，空气和热量具有优异的稳定性。 该有机铂络合物适用于通过CVD法制造含铂的薄膜。 （1）（式中，X和Y分别表示可以被烷氧基取代的碳原子数为1〜8的直链或支链烷基，Z表示氢原子或具有1- 4个碳原子; L表示烷氧基烯基（被烷氧基取代的直链或支链烯基））
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公开(公告)号：JP6361048B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2016562355
申请日：2015-11-04
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/36
CPC classification number: C23C8/30 , C23C16/36 , C23C16/45553
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公开(公告)号：JP2016138325A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015015194
申请日：2015-01-29
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/318 , H01L21/314 , C23C16/36
Abstract: 【課題】高い耐薬品性を有する金属又は半金属炭窒化膜の低温製造方法の提供。 【解決手段】式(1)で表される1,2,4−トリアゾール化合物2又はその溶媒溶液と金属源又は半金属源とを使用するCVD法又はALD法において、反応室11内を所定の温度、圧力に設定した状態で、前記化合物2を直接又はその溶媒溶液を気化させて、不活性ガスと金属源又は半金属源7とを反応室11内に同時に又は交互に供給し、加熱した成膜対象物15に金属又は半金属炭窒化膜を形成する方法。 (Rは各々独立にH、C1〜5のアルキル基又はC1−5のトリアルキルシリル基) 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高耐化学性的金属或半金属碳氮化物膜的低温生产方法。溶解性：使用由式（1）表示的1,2,4-三唑化合物2的CVD法或AL法 ）或其溶剂溶液，以及金属源或半金属源，化合物2直接或通过将反应室11设定为规定的温度和压力而使溶剂溶液蒸发，惰性气体和金属源或半金属源7 同时或交替地供给到反应室11中，并且在该方法中在加热的沉积膜物体15上形成金属或半金属碳氮化物膜。 （每个R独立地为H，C1至C5的烷基或c1至c5的三烷基甲硅烷基）选择的图示：图1
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公开(公告)号：JP2015224227A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014110514
申请日：2014-05-28
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07F19/00 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/06
Abstract: 【課題】簡便な方法による、工業的に好適な(アセチレン)ジコバルトヘキサカルボニル化合物の提供。 【解決手段】オクタカルボニルジコバルトと、式(2)で示されるアセチレン化合物とを、エーテル溶媒中で反応させ、式(3)で示される化合物の製造する方法。 (R 1 はC1〜6の直鎖又は分枝状のアルキル基;R 2 はイソプロピル基、t−ブチル基又はトリメチルシリル基) 【選択図】図1
Abstract translation: 待解决的问题：通过方便的方法提供工业上合适的（乙炔）二羰基二钴化合物。方法：本发明提供了一种通过八羰基二钴与式（3）表示的乙炔化合物的反应制备由式（3）表示的化合物的方法， （2）在醚溶剂中（R 1为C 1-6直链或支链烷基; R为异丙基，叔丁基或三甲基甲硅烷基）。
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公开(公告)号：JP2017034103A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015153093
申请日：2015-08-03
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 【課題】高品位な酸化アルミニウム膜を製造し得る酸化アルミニウム膜の製造方法を提供する。 【解決手段】400〜650℃に加熱された成膜対象物上に、下記式(1)で示されるアルミニウム化合物を供給し、酸化することにより酸化アルミニウム膜を形成する、酸化アルミニウム膜の製造方法。 【化1】 (式中、Rは炭素原子数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、ふたつのRは同一又は異なっていても良い。TMSはトリメチルシリル基を示す。) 【選択図】なし
Abstract translation: 本发明提供了用于产生能够产生高品质的铝氧化膜的氧化铝膜的方法。 上加热至400〜650℃的成膜对象，通过提供下述通式（1）表示的铝化合物，以通过氧化铝氧化膜的方法形成的氧化铝膜 。 （式中，R表示碳原子数为1〜4的直链或支链烷基，两个R可以相同或不同.TMS代表三甲基甲硅烷基。）[ 选择视图]无
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公开(公告)号：JP2016130337A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：JP2015004617
申请日：2015-01-14
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/318 , C23C16/36
Abstract: 【課題】 本発明の課題は、N−トリアルキルシリル−1,2,3−トリアゾール化合物を炭窒化剤として用いた金属又は半金属炭窒化膜の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明の課題は、N−トリアルキルシリル−1,2,3−トリアゾール化合物を窒素供給源として用いることを特徴とする、金属又は半金属炭窒化膜の製造方法によって解決される。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物作为碳氮共渗剂制备金属或准金属碳氮化物膜的方法。解决方案：通过金属或准金属碳氮化物的制造方法 膜使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物作为氮源。选择图1：
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公开(公告)号：JP5825169B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2012071106
申请日：2012-03-27
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/18
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