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公开(公告)号：JP2017031143A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016145346
申请日：2016-07-25
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07C211/09 , C07C209/48
Abstract: 【課題】本発明の課題は、ジシアノ化合物を水素と反応させる際、得られるジアミン化合物中に含まれる不純物の構造を明らかにし、この不純物含量が低減された、高純度ジアミン化合物を高収率かつ工業的に好適な方法で製造することである。 【解決手段】ニッケルを含む触媒及び塩基性化合物存在下で、下記一般式(1)で示されるジシアノ化合物と水素とを反応させる、ジアミン化合物の製造方法において、得られるジアミン化合物中に含まれる下記一般式(3)で示されるアミド化合物の含量がガスクロマトグラフィーによる測定で0.5面積%以下であることを特徴とする、ジアミン化合物の製造方法。 NC−Z−CN (1) (Zは、直鎖状の炭素数1〜20のアルキレン基、環状の炭素数3〜20のアルキレン基、又は分岐状の炭素数3〜20のアルキレン基を示す。) (Zは、上記と同義である。) 【選択図】なし
Abstract translation: 本发明的一个目的是，当与氢的二氰基化合物反应，以显示包含在所获得的二胺化合物中的杂质的结构中，杂质含量降低时，高收率和高纯度的二胺化合物 它是在工业上合适的方法来生产。 在催化剂和含碱性化合物的镍的存在下，由下述通式表示的二氰化合物和氢的反应以下A（1），在二胺化合物的制造方法中，包含在所获得的二胺化合物 由通式（3）表示的酰胺化合物的含量等于或小于通过气相色谱法的制造方法的二胺化合物测得的0.5％（面积）。 NC-Z-CN（1）（Z表示具有1至20个碳原子，碳原子数3〜20的具有3至20个碳原子的环状亚烷基，或支链亚烷基的直链亚烷基 。）（Z如上所定义。）装置技术领域
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公开(公告)号：JP2017101020A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016223028
申请日：2016-11-16
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07C37/70 , C07C39/14 , C07D317/54 , C07D317/64 , C07C37/56
Abstract: 【課題】高純度フェノール化合物の製造方法。 【解決手段】芳香族メチルアルコール式(1)と過酸化物を反応させる芳香族アルデヒド式(2)を製造する工程1、酸触媒存在下で式(2)を過酸化物と反応させるフェノール式(3)を製造する工程2、並びに式(3)を精製する高純度フェノールの製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2019182035A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019011798
申请日：2019-03-20
Applicant: 宇部興産株式会社
Abstract: 本発明は、芳香族ヒドロキシ化合物の製造方法であって、チタノシリケート存在下で、特定の芳香族化合物(A)と、炭化水素化合物(b1)、ケトン化合物(b2)、及びエステル化合物(b3)からなる群から選ばれる少なくとも1種の添加剤(B)と、過酸化物(C)とを混合して、該芳香族化合物(A)と過酸化物(C)とを反応させる工程を含む、特定の芳香族ヒドロキシ化合物の製造方法である。
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公开(公告)号：JP2017031142A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016145339
申请日：2016-07-25
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07C255/04 , C07C253/34 , C07C253/14
Abstract: 【課題】本発明の課題は、過剰なシアン化物を使用することなく、高収率で高純度なジシアノ化合物を製造することである。 【解決手段】オニウム塩及び下記一般式(2)で示される化合物を含む溶液に対し、シアン化物及び/又はその水溶液を複数回に分けて添加する、ジシアノ化合物の製造方法。 Y−Z−Y (2) (Zは、直鎖状の炭素数1〜20のアルキレン基、環状の炭素数3〜20のアルキレン基、又は分岐状の炭素数3〜20のアルキレン基を示す。Yは、ハロゲン原子、硫黄化合物残基であり、2つのYは互いに同一でも異なっていてもよい。) 【選択図】なし
Abstract translation: 本发明的目的，而无需使用过量的氰化物和以产生高纯度高产率二氰基化合物。 鎓盐和下述通式到含有由（2）表示的化合物的溶液，在氰化物和/或更多倍于其水溶液，用于产生二氰化合物的方法加入。 Y-Z-Y（2）（Z表示具有1至20个碳原子，碳原子数3〜20的具有3至20个碳原子的环状亚烷基，或支链亚烷基的直链亚烷基 .Y是一个卤素原子，硫化合物残基，两个Y可以相同或不同。）装置技术领域
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