公开(公告)号：CN118136069A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410332363.9

申请日：2024-03-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  任满 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  胡薇 ,  蔺智挺

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/30

Abstract: 本申请涉及一种TFET‑SRAM单元电路及其封装方法、阵列电路和电子设备，在单元电路中，锁存模块包括第一PTFET管、第二PTFET管、第一NTFET管和第二NTFET管，第一PTFET管的漏极、第一NTFET管的漏极、第二PTFET管的栅极和第二NTFET管的栅极相互连接并构成第一存储节点，第一PTFET管的栅极、第一NTFET管的栅极、第二PTFET管的漏极和第二NTFET管的漏极相互连接并构成第二存储节点；第一PTFET管的源极通过第一开关模块连接电源，第二PTFET管的源极连接电源，第一NTFET管通过第二开关模块连接地，第二NTFET管连接地，第一存储节点通过第一写入模块连接电源且通过第二写入模块连接地，第二存储节点连接读出模块。解决了TFET‑SRAM单元电路通常难以兼顾写入速度和功耗的问题。