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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111970507B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010868474.3
申请日：2020-08-26
Applicant: 安徽大学
IPC: H04N19/122 , H04N19/176 , H04N19/467 , H04N19/69 , H04L9/06
Abstract: 本发明公开了一种基于像素差值编码的密文域图像的可逆数据隐藏方法，其步骤包括：1、计算像素差值；2、图像加密；3、图像的密文域可逆数据隐藏；4、数据提取与图像恢复。本发明通过提出的图像编码方式提高对图像潜在冗余信息的利用率，从而能在保证图像安全性的同时获得较高的嵌入容量。
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公开(公告)号：CN111970507A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010868474.3
申请日：2020-08-26
Applicant: 安徽大学
IPC: H04N19/122 , H04N19/176 , H04N19/467 , H04N19/69 , H04L9/06
Abstract: 本发明公开了一种基于像素差值编码的密文域图像的可逆数据隐藏方法，其步骤包括：1、计算像素差值；2、图像加密；3、图像的密文域可逆数据隐藏；4、数据提取与图像恢复。本发明通过提出的图像编码方式提高对图像潜在冗余信息的利用率，从而能在保证图像安全性的同时获得较高的嵌入容量。
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公开(公告)号：CN118900622A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974879.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种改善互补型忆阻器存储窗口的方法，属于半导体与集成电路技术领域；互补型忆阻器包括两层过渡金属氧化物介质层，位于上端的过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷少于下端过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷。这两层氧化物介质层的下端设置有下电极，上端设置有上电极。改善互补型忆阻器存储窗口的方法包括：下端过渡金属氧化物层的顶端嵌入金属纳米岛、缩小下端过渡金属氧化物层的厚度以及缩小上电极热导率中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN117011669B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202310814159.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/80 , G06V10/52 , G06V10/54 , G06V10/764 , G06V10/77 , G06V10/26 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供一种红外小目标检测方法及系统，红外小目标检测方法包括：利用卷积将一单通道图片下采样为多个不同尺度的多通道特征图；基于卷积运算提取所述多通道特征图的细节特征，并输出第一特征图；基于稀疏采样的特征关联注意力机制，将所述第一特征图转变为第二特征图；使用双线性差值的方式对所述第二特征图进行上采样，并获取第三特征图；将所述第三特征图、所述第二特征图与所述第一特征图矩阵相加，并输出融合特征图；整合所述融合特征图的多通道特征，并将卷积后的特征转化为像素点的二分类概率；基于饱和激活函数，筛选符合待测目标的像素点，以解决现有的小目标检测算法效果不佳、计算量大的技术问题。
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公开(公告)号：CN117011669A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310814159.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/80 , G06V10/52 , G06V10/54 , G06V10/764 , G06V10/77 , G06V10/26 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供一种红外小目标检测方法及系统，红外小目标检测方法包括：利用卷积将一单通道图片下采样为多个不同尺度的多通道特征图；基于卷积运算提取所述多通道特征图的细节特征，并输出第一特征图；基于稀疏采样的特征关联注意力机制，将所述第一特征图转变为第二特征图；使用双线性差值的方式对所述第二特征图进行上采样，并获取第三特征图；将所述第三特征图、所述第二特征图与所述第一特征图矩阵相加，并输出融合特征图；整合所述融合特征图的多通道特征，并将卷积后的特征转化为像素点的二分类概率；基于饱和激活函数，筛选符合待测目标的像素点，以解决现有的小目标检测算法效果不佳、计算量大的技术问题。
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