公开(公告)号：CN119491301A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202510076073.7

申请日：2025-01-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴冉运 ,  周锦福 ,  李国华 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮

IPC: C30B29/46 ,  C30B28/04 ,  H10F77/12 ,  H10F30/21 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种NaBiS2多晶薄膜材料、TiO2/NaBiS2异质结薄膜及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明使用乙二胺、β‑巯基乙醇及1,2‑乙二硫醇的三溶剂体系的二次溶液反应法来溶解氢氧化钠、氧化铋及升华硫作为形成NaBiS2的前驱体溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系的NaBiS2薄膜，其带隙为1.35 eV，表面形貌平整、均匀、无裂纹。该薄膜的制备工艺简单、成本低廉，产物纯相。同时，本发明提出了其异质TiO2的光电探测应用，所述光电探测器依次由FTO基底、TiO2多孔层、NaBiS2吸光层及廉价碳电极复合组成，通过NaBiS2吸光层与TiO2多孔层结合形成异质结，使其具有良好的自供电特性，为电子材料和器件领域提供了一种新型半导体薄膜材料、制备方法及光电探测应用的范例。

公开(公告)号：CN118969876B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411433963.0

申请日：2024-10-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴冉运 ,  周锦福 ,  李国华 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮

IPC: H10F77/12 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  C01B17/22 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

公开(公告)号：CN118969876A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411433963.0

申请日：2024-10-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴冉运 ,  周锦福 ,  李国华 ,  黄志祥 ,  曾玮 ,  王思亮

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C01B17/22 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。