公开(公告)号：CN108492843B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201810300515.1

申请日：2018-04-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  黄家提 ,  孔令雨 ,  肖松松 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C11/412

Abstract: 本发明公开了一种14T抗辐照静态存储单元，能够提高抗SEU能力，可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并且降低了功耗。在读写阶段，WL信号为高电平。当电路处于写阶段时，如果BL为高电平，BLB为低电平，那么通过差分输入晶体管N4和N5向存储节点Q点写‘1’；如果BL为低电平，BLB为高电平，那么通过差分输入晶体管N4和N5向存储节点Q点写‘0’。当电路处于读阶段时，BL和BLB都为高电平，如果该单元电路存储的数据为‘1’，那么BLB通过晶体管N4和N0向地放电，使得位线产生电压差，然后通过灵敏放大器读出数据；如果该单元电路存储的数据为‘0’，那么BL通过晶体管N5和N1向地放电，使得产生位线电压差，然后通过灵敏放大器读出数据。

公开(公告)号：CN108231100B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201810252339.9

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。

公开(公告)号：CN108259033B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201810299290.2

申请日：2018-04-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  黄家提 ,  孔令雨 ,  赵强 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种辐射加固的高性能DICE锁存器，在传统DICE锁存器基础上增加4个PMOS晶体管，利用源隔离技术来提高锁存器的抗多节点翻转的能力。相比MDICE锁存器结构，面积、延迟和功耗都有减少，尤其存储‘1’时延迟有很大地减小。相比其他加固结构，辐射加固的高性能DICE锁存器在提高抗多节点翻转能力的同时，对面积、延迟和功耗进行了一定的折中。

公开(公告)号：CN108492843A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810300515.1

申请日：2018-04-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  黄家提 ,  孔令雨 ,  肖松松 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C11/412

Abstract: 本发明公开了一种14T抗辐照静态存储单元，能够提高抗SEU能力，可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并且降低了功耗。在读写阶段，WL信号为高电平。当电路处于写阶段时，如果BL为高电平，BLB为低电平，那么通过差分输入晶体管N4和N5向存储节点Q点写‘1’；如果BL为低电平，BLB为高电平，那么通过差分输入晶体管N4和N5向存储节点Q点写‘0’。当电路处于读阶段时，BL和BLB都为高电平，如果该单元电路存储的数据为‘1’，那么BLB通过晶体管N4和N0向地放电，使得位线产生电压差，然后通过灵敏放大器读出数据；如果该单元电路存储的数据为‘0’，那么BL通过晶体管N5和N1向地放电，使得产生位线电压差，然后通过灵敏放大器读出数据。

公开(公告)号：CN108259033A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810299290.2

申请日：2018-04-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  黄家提 ,  孔令雨 ,  赵强 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种辐射加固的高性能DICE锁存器，在传统DICE锁存器基础上增加4个PMOS晶体管，利用源隔离技术来提高锁存器的抗多节点翻转的能力。相比MDICE锁存器结构，面积、延迟和功耗都有减少，尤其存储‘1’时延迟有很大地减小。相比其他加固结构，辐射加固的高性能DICE锁存器在提高抗多节点翻转能力的同时，对面积、延迟和功耗进行了一定的折中。

公开(公告)号：CN108231100A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810252339.9

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。

公开(公告)号：CN207939495U

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201820476724.7

申请日：2018-04-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  黄家提 ,  孔令雨 ,  赵强 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003

Abstract: 本实用新型公开了一种辐射加固的高性能DICE锁存器，在传统DICE锁存器基础上增加4个PMOS晶体管，利用源隔离技术来提高锁存器的抗多节点翻转的能力。相比MDICE锁存器结构，面积、延迟和功耗都有减少，尤其存储‘1’时延迟有很大地减小。相比其他加固结构，辐射加固的高性能DICE锁存器在提高抗多节点翻转能力的同时，对面积、延迟和功耗进行了一定的折中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207833929U

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201820411822.2

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本实用新型公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利