公开(公告)号：CN116030861A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310038973.3

申请日：2023-01-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  杜晨鸿 ,  强斌 ,  刘立 ,  卢文娟 ,  彭春雨 ,  蔺智挺

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高稳定性的MOSFET‑TFET混合型14T‑SRAM单元电路，和使用了该种14T‑SRAM单元电路封装而成的模块。本发明采用MOSFET晶体管作为SRAM的传输管，消除了当TFET晶体管用作SRAM单元的传输晶体管时出现正偏p‑i‑n电流的问题；采用两个施密特型反相器构成锁存结构，利用MOSFET晶体管N9、N10对每个反相器的反馈作用，可改善TFET器件的延迟输出饱和特性，提高SRAM单元的稳定性；采用PTFET晶体管P1、P2作为写操作时的上拉电路结构，可降低SRAM单元的写功耗；采用NTFET晶体管N5、N6构成读电路部分，可提高SRAM单元的读能力和读速度。