一种基于超表面的低剖面宽带圆极化滤波天线

    公开(公告)号:CN118572388B

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411019910.4

    申请日:2024-07-29

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的低剖面宽带圆极化滤波天线,包括第一介质基板,在第一介质基板的上表面印刷超表面,第二介质基板位于第一介质基板的下方且二至之间夹置金属地板,第二介质基板的下表面印刷微带馈线,第二介质基板的中心位置处开设金属通孔。本发明引入超表面结构,使得天线的阻抗带宽得到大幅提升,并且拥有一个较高的增益;实现圆极化无需引入额外的馈电结构,并在现有方形贴片切角实现圆极化的基础上加以改进,实现了更好的轴比带宽;只通过增加金属通孔与寄生枝节的方法引入辐射零点,并可通过调整相关尺寸调节辐射零点频率与带外抑制;结构简单,在实现低剖面的同时,实现了宽频带并且具有良好的滤波特性。

    一种3bit双极化相位可调的可重构智能超表面

    公开(公告)号:CN114976667B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210901916.9

    申请日:2022-07-29

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种3bit双极化相位可调的可重构智能超表面,属于新型人工电磁材料领域。该超表面包括:多个3bit双极化相位可调的可重构智能超表面单元;可重构智能超表面单元为四层结构;第一层包含4个关于中心对称的Y形金属贴片和扇形金属贴片,Y形金属贴片和扇形金属贴片之间使用变容管相连接;第二层为沿x轴方向的馈电层;第三层为沿y轴方向的馈电层;第四层为金属接地层;每个扇形金属贴片的中心通过金属过孔贯穿第二层、第三层以及第四层;通过改变正交极化方向上变容管的两侧电压值,使得3bit双极化相位可调的可重构智能超表面单元在两个正交极化方向上独立实现双极化3比特相位调制,进而在正交极化方向上实现解耦。本发明能够调制双极化相位。

    一种1-bit双频双通道独立可编程超表面

    公开(公告)号:CN115051167A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210704214.1

    申请日:2022-06-21

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种1‑bit双频双通道独立可编程超表面。超表面单元中介质层的4个侧边设置两两平行的矩形金属长条贴片;介质层的中心位置设置相互正交的第一金属贴片和第二金属贴片,正交的金属贴片的中心位置通过金属过孔连接至金属地;第一金属贴片和第二金属贴片为H型金属贴片;第一金属贴片和第二金属贴片的侧边通过二极管与对应的矩形金属长条贴片的中心位置连接;矩形金属长条贴片的中心位置通过金属过孔依次连接至第一馈电层、第二馈电层以及金属地;在介质层构建直角坐标系;第一馈电层为沿x轴方向的馈电层;第二馈电层为沿y轴方向的馈电层。本发明能够实现双频双极化电磁波反射相位独立可调和双通道独立可编程。

    一种3bit双极化相位可调的可重构智能超表面

    公开(公告)号:CN114976667A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210901916.9

    申请日:2022-07-29

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种3bit双极化相位可调的可重构智能超表面,属于新型人工电磁材料领域。该超表面包括:多个3bit双极化相位可调的可重构智能超表面单元;可重构智能超表面单元为四层结构;第一层包含4个关于中心对称的Y形金属贴片和扇形金属贴片,Y形金属贴片和扇形金属贴片之间使用变容管相连接;第二层为沿x轴方向的馈电层;第三层为沿y轴方向的馈电层;第四层为金属接地层;每个扇形金属贴片的中心通过金属过孔贯穿第二层、第三层以及第四层;通过改变正交极化方向上变容管的两侧电压值,使得3bit双极化相位可调的可重构智能超表面单元在两个正交极化方向上独立实现双极化3比特相位调制,进而在正交极化方向上实现解耦。本发明能够调制双极化相位。

    一种两元宽带天线装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112421216A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011243907.2

    申请日:2020-11-10

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种两元宽带天线装置,包括基板,基板上设置有两单元贴片,两单元贴片上均开设有用于阻断电磁干扰的U形槽,本发明结构简单,通过U型槽的设置,实现阻断相关频段的电磁干扰,通过三个U型槽的设置,能够实现加载三个陷波,同时避免了现在引用新的枝节改变天线大小的问题,本发明独立地板结构并加载地板分支提高隔离度,并通过两单元贴片的正交馈电设置,进一步地确保隔离效果更佳。

    基于子结构特征模理论的MIMO天线阵列自解耦方法

    公开(公告)号:CN117691371B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202410139137.9

    申请日:2024-02-01

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于子结构特征模理论的MIMO天线阵列自解耦方法,包括:建立双单元MIMO微带贴片天线阵列,得出模态显著性及特征角曲线;取模式1和模式2模态显著性曲线的交点所对应的频点;使得该频点处模式1和模式2的特征角的差接近90°;计算出低幅值区域以及零幅值区域;取低幅值区域和零幅值区域的交集区域作为优选区域,在优选区域上放置馈电端口;将优选区域的所有坐标作为同轴馈电坐标,进行仿真与对比,取得1.66%的轴比带宽和最低‑42.9dB的优良解耦水平。本发明降低了模式数量,极大程度地降低了多单元系统的分析难度,更加有效和准确地确定馈电位置,既能保证圆极化或线极化性能,又能实现自行解耦,为该类问题的解决提供了新颖的解决方案。

    一种大规模准周期阵列电磁结构的电磁散射快速分析方法

    公开(公告)号:CN118378509A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410833100.6

    申请日:2024-06-26

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种大规模准周期阵列电磁结构的电磁散射快速分析方法,包括:进行大规模准周期阵列结构的几何建模和剖分,得到所有单元的几何信息;建立参考单元的广义特征值分程;基于经验插值法选取插值基函数;对格林函数及电场积分方程进行参数分解,构造一组阻抗矩阵的正交基函数和基函数系数;对整个大规模准周期阵列结构的表面电流进行求解,计算整个准周期阵列结构的表面电流。本发明建模简单,只需要对参考单元进行建模;减少阻抗矩阵填充时间,只需求解一个低阶线性方程组即可获得不同几何参数下的阻抗矩阵;减少未知量和节省计算资源,将截断的单个单元的特征模式电流用做全域基函数,从而显著减少准周期阵列的矩阵特征方程的未知量数目。

    一种高增益双贴片圆极化滤波天线及设计方法

    公开(公告)号:CN114976621B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210779528.8

    申请日:2022-07-04

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种高增益双贴片圆极化滤波天线,其特征在于:包括第一介质基板和第二介质基板,第一介质基板上设置第一辐射贴片,第二介质基板上设置第二辐射贴片;所述第二介质基板位于第一介质基板的上方,且二者之间有间距。本发明还公开了一种高增益双贴片圆极化滤波天线的设计方法。本发明的天线结构简单,没有额外的滤波电路但实现了很好的滤波效果;天线的增益曲线具有很好的平整度,因此具有很好的稳定性,且两个辐射零点可调控;天线轴比带宽相对于已有的无额外滤波电路的圆极化滤波天线结构来说更宽。

    一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法

    公开(公告)号:CN108959772B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN201810720625.3

    申请日:2018-07-02

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法,与现有技术相比解决了特征模式分析方法无法适用于大规模有限周期阵列结构的缺陷。本发明包括以下步骤:大规模有限周期阵列结构的几何建模和剖分;对参考单元建立基于电场积分方程的特征值方程;整个大规模有限周期阵列结构特征模式的计算。本发明能显著减少周期阵列的矩阵特征方程的未知量数目,并大幅度减少所需的计算内存以及计算时间。

    基于子结构特征模理论的MIMO天线阵列自解耦方法

    公开(公告)号:CN117691371A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202410139137.9

    申请日:2024-02-01

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于子结构特征模理论的MIMO天线阵列自解耦方法,包括:建立双单元MIMO微带贴片天线阵列,得出模态显著性及特征角曲线;取模式1和模式2模态显著性曲线的交点所对应的频点;使得该频点处模式1和模式2的特征角的差接近90°;计算出低幅值区域以及零幅值区域;取低幅值区域和零幅值区域的交集区域作为优选区域,在优选区域上放置馈电端口;将优选区域的所有坐标作为同轴馈电坐标,进行仿真与对比,取得1.66%的轴比带宽和最低‑42.9dB的优良解耦水平。本发明降低了模式数量,极大程度地降低了多单元系统的分析难度,更加有效和准确地确定馈电位置,既能保证圆极化或线极化性能,又能实现自行解耦,为该类问题的解决提供了新颖的解决方案。

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