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公开(公告)号:CN111969993A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN202010758947.4
申请日:2020-07-31
Applicant: 安徽大学
IPC: H03K19/0175 , G06N3/04 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种CCSA与Sigmoid激活函数复用电路结构,在CCSA电路结构的基础上增加了三个PMOS晶体管,晶体管N1的栅极固定接电源地(VSS),N0和N2的栅极分别接控制信号(SW1、SW2),通过控制信号将复用电路在CCSA电路与Sigmoid激活函数电路之间进行切换,即:当SW1高电平,SW2为低电平时,复用电路为CCSA电路;当SW1低电平,SW2为高电平时,复用电路为Sigmoid激活函数电路。该电路结构简单,运算速度快,并且极大的降低了芯片的面积。
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公开(公告)号:CN111969993B
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202010758947.4
申请日:2020-07-31
Applicant: 安徽大学
IPC: H03K19/0175 , G06N3/04 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种CCSA与Sigmoid激活函数复用电路结构,在CCSA电路结构的基础上增加了三个PMOS晶体管,晶体管N1的栅极固定接电源地(VSS),N0和N2的栅极分别接控制信号(SW1、SW2),通过控制信号将复用电路在CCSA电路与Sigmoid激活函数电路之间进行切换,即:当SW1高电平,SW2为低电平时,复用电路为CCSA电路;当SW1低电平,SW2为高电平时,复用电路为Sigmoid激活函数电路。该电路结构简单,运算速度快,并且极大的降低了芯片的面积。
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