公开(公告)号：CN115769377A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180041025.4

申请日：2021-04-07

Applicant: 宽腾矽公司

Inventor： 埃里克·A·G·韦伯斯特 ,  杨大江 ,  王欣 ,  何兆宇 ,  崔昶勋 ,  彼得·J·林 ,  托德·雷里克

IPC: H01L27/146 ,  H04N9/00 ,  G01N21/00

Abstract: 本公开的一些方面涉及用于减小诸如CMOS成像器件之类的集成器件中的偏斜的技术。在一些方面，集成电路的多个像素可以被配置为基本上同时接收相同的控制信号并响应于控制信号而传导电荷载体。在一些方面，集成电路可以具有调制的电荷转移信道电压阈值，例如通过具有不同的电荷转移信道长度，和/或被配置为设置电荷转移的电压阈值的掺杂部分。在一些方面，集成电路可以具有通孔结构，该通孔结构具有在至少两个金属层的连续部分之间延伸的多个通孔。在一些方面，集成电路可以包括像素行和电压源，电压源被配置为提供电压以沿着像素行使集成电路的半导体基板偏压。

公开(公告)号：CN117178366A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180021090.0

申请日：2021-01-14

Applicant: 宽腾矽公司

Inventor： 埃里克·A·G·韦伯斯特 ,  崔昶勋 ,  杨大江 ,  托德·雷里克 ,  凯尔·普雷斯顿 ,  阿里·卡比里 ,  杰勒德·施密德 ,  王欣

IPC: H01L27/146

Abstract: 本文描述的技术的方面涉及改进的基于半导体的图像传感器设计。在一些实施例中，集成电路可以包括光检测区和电耦合到光检测区的漏极区，并且光检测区可以被配置为在从光检测区到漏极区的方向上感应本征电场。在一些实施例中，电荷存储区和漏极区可以位于光检测区的同一侧。在一些实施例中，至少一个漏极层可以被配置为经由光检测区接收入射光子和/或电荷载体。在一些实施例中，集成电路可以包括多个像素和被配置为控制多个像素中电荷载体的转移的控制电路。