-
公开(公告)号：CN117529794A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280026713.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 宾夕法尼亚大学理事会
Inventor： 迪普·扎里瓦拉 , 罗伊·H·奥尔森三世 , 埃里克·安德鲁·施塔赫 , 刘曦文 , 王邸雄 , 杰弗里·郑 , 梅里林·默西·阿佐·菲亚格贝努
IPC: H01L21/02
Abstract: 包括诸如氮化铝钪(AlScN)或氧化铪锆(HfZrO2)的材料的铁电二极管可以形成在诸如CMOS晶片的半导体结构的顶部上，以创建存储记忆单元、搜索三态内容可寻址存储器(TCAM)单元和/或神经电路。二极管是非易失性的，并且是经由脉冲而现场可编程到脉冲数相关的模拟状态，具有高开/关和自整流比。单元可以例如使用相反极化的两个二极管形成，并且可以在没有晶体管的情况下实现，以形成例如0T‑2R结构。
Search Results
1
records
(took 0.046 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
