公开(公告)号：CN101552275A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910129917.0

申请日：2009-04-01

Applicant: 密执安大学评议会

Inventor： Y·李 ,  M·J·维科夫斯基 ,  D·T·布劳夫 ,  D·M·C·赛尔韦斯特

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/92 ,  H01L29/94 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C2216/10 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明涉及一种存储器单元结构，使用该存储器单元结构的存储器件以及具有该存储器件的集成电路。该存储器单元结构包含具有浮置栅极节点的读取晶体管；连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器；连接至该浮置栅极节点及具有第二编程端子的耦合电容器叠柱，该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器，该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容；在编程操作期间，在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差，以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器，以致在该编程操作后，电荷储存在该浮置栅极节点中；在读取操作期间，该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。

公开(公告)号：CN101552275B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910129917.0

申请日：2009-04-01

Applicant: 密执安大学评议会

Inventor： Y·李 ,  M·J·维科夫斯基 ,  D·T·布劳夫 ,  D·M·C·赛尔韦斯特

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/92 ,  H01L29/94 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C2216/10 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明涉及一种存储器单元结构，使用该存储器单元结构的存储器件以及具有该存储器件的集成电路。该存储器单元结构包含具有浮置栅极节点的读取晶体管；连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器；连接至该浮置栅极节点及具有第二编程端子的耦合电容器叠柱，该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器，该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容；在编程操作期间，在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差，以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器，以致在该编程操作后，电荷储存在该浮置栅极节点中；在读取操作期间，该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。