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公开(公告)号：CN100409516C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510134658.2
申请日：2005-12-13
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S5/4081 , H01S2301/18
Abstract: 表面发光半导体激光器阵列及使用其的光传输系统。表面发光半导体激光器阵列包括：排列成一维或二维阵列的多个发光部，各发光部在基板上包括第一反射镜与第二反射镜之间的活性区域和电流狭窄部，和第二反射镜上方的发光孔，激光束是同时从所述多个发光部发射的。所述多个发光部中的至少一个具有与其它发光部的近场图形不同的近场图形。
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公开(公告)号：CN101154792A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710107736.9
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/4075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供表面发射型半导体阵列装置。该表面发射型半导体阵列装置包括：基板；多个发光部；电极焊盘部，其形成在所述基板上并通过一分隔沟而与所述多个发光部隔开，并且具有形成在一绝缘膜上的多个电极焊盘；以及多个金属配线，用于经过所述分隔沟将所述多个发光部中的相应发光部连接到对应的电极焊盘，其中，所述分隔沟在所述基板上形成有波浪形的侧壁。
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公开(公告)号：CN1845407A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510134658.2
申请日：2005-12-13
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S5/4081 , H01S2301/18
Abstract: 表面发光半导体激光器阵列及使用其的光传输系统。表面发光半导体激光器阵列包括：排列成一维或二维阵列的多个发光部，各发光部在基板上包括第一反射镜与第二反射镜之间的活性区域和电流狭窄部，和第二反射镜上方的发光孔，激光束是同时从所述多个发光部发射的。所述多个发光部中的至少一个具有与其它发光部的近场图形不同的近场图形。
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公开(公告)号：CN101154792B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710107736.9
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/4075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供表面发射型半导体阵列装置。该表面发射型半导体阵列装置包括：基板；多个发光部；电极焊盘部，其形成在所述基板上并通过一分隔沟而与所述多个发光部隔开，并且具有形成在一绝缘膜上的多个电极焊盘；以及多个金属配线，用于经过所述分隔沟将所述多个发光部中的相应发光部连接到对应的电极焊盘，其中，所述分隔沟在所述基板上形成有波浪形的侧壁。
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