公开(公告)号：CN112339446A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010185528.6

申请日：2020-03-17

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 三原显 ,  逆井一宏 ,  粂井正也

IPC: B41J2/435 ,  B41J2/01 ,  B41J11/00

Abstract: 本发明提供检测传感器、检测装置、传送装置及图像形成装置。检测传感器具备：单一的发光元件，其向传送的被传送材料照射光；以及多个受光元件，其接受由所述被传送材料的表面散射的所述光与由所述被传送材料的内部散射的所述光的干涉光。

公开(公告)号：CN102891434B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210061277.6

申请日：2012-03-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 粂井正也

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列、垂直腔面发射激光器装置、光学传输装置及信息处理装置。该激光器阵列包括：基板，其上具有元件形成区域；多个柱状结构，其形成在基板上的元件形成区域中；以及至少一根金属配线，其形成为与多个柱状结构相邻。多个柱状结构中的每一个包括第一导电类型的下部半导体反射器、第二导电类型的上部半导体反射器、以及形成在该下部半导体反射器和该上部半导体反射器之间的活性区域。每个柱状结构沿着与基板垂直的方向发射光。上述至少一根金属配线具有变形施加部分，该变形施加部分相对于上述多个柱状结构沿着同一方向延伸。

公开(公告)号：CN102891434A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210061277.6

申请日：2012-03-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 粂井正也

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列、垂直腔面发射激光器装置、光学传输装置及信息处理装置。该激光器阵列包括：基板，其上具有元件形成区域；多个柱状结构，其形成在基板上的元件形成区域中；以及至少一根金属配线，其形成为与多个柱状结构相邻。多个柱状结构中的每一个包括第一导电类型的下部半导体反射器、第二导电类型的上部半导体反射器、以及形成在该下部半导体反射器和该上部半导体反射器之间的活性区域。每个柱状结构沿着与基板垂直的方向发射光。上述至少一根金属配线具有变形施加部分，该变形施加部分相对于上述多个柱状结构沿着同一方向延伸。