公开(公告)号：CN104205301A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280071499.4

申请日：2012-08-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 ,  西泽龙男 ,  木下庆人 ,  梨子田典弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。

公开(公告)号：CN103415918A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012452.0

申请日：2012-03-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 ,  梨子田典弘 ,  西泽龙男 ,  木下庆人

IPC: H01L21/60 ,  C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/42 ,  C23C28/02 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/29 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  C23C28/02 ,  C23C28/022 ,  C23C28/023 ,  C25D5/12 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011

Abstract: 在设置于半导体晶片上的导电部（1）的表面上执行电镀工艺前执行电镀预先处理。然后，通过NiP合金电镀工艺，在导电部（1）的表面上形成第一金属膜（2）。随后，通过替换Ag电镀工艺在第一金属膜（2）室的表面上形成第二金属膜（3）。然后半导体晶片被划块且切割为半导体芯片（20）。此后，向已经形成在半导体芯片（20）的前表面上的第二金属膜（3）的表面上施加包含Ag颗粒的导电组合物。通过加热来烧结该导电组合物来形成包含Ag颗粒的结合层（4），且然后经由包含Ag颗粒的结合层（4）来将金属板（5）结合至第二金属膜（3）的表面。因此，可以提供具有高结合强度、良好耐热性、和热辐射性质的电子组件，以及制造电子组件的方法。

公开(公告)号：CN103930990B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280055469.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西泽龙男 ,  多田慎司 ,  木下庆人 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与

公开(公告)号：CN104103611A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410136723.4

申请日：2014-04-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下庆人 ,  望月英司 ,  西泽龙男 ,  多田慎司

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/603 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开一种加压加热接合结构及加压加热接合方法。所述的一种加压加热接合结构，将使用金属微粒作为接合材料而将两个部件加压加热接合，其中，将线膨胀系数不同的第一部件（14）与第二部件（4A）配置成使产生于该第一部件与第二部件之间的热应力作为加压力作用于两个部件的接合面（F2），并在将所述金属微粒设置在所述接合面之间的状态下升温而将所述第一部件与所述第二部件加压加热接合。根据本发明，即使在与加压方向正交的接合面上也能有效地进行加压加热接合。

公开(公告)号：CN104103611B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201410136723.4

申请日：2014-04-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下庆人 ,  望月英司 ,  西泽龙男 ,  多田慎司

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/603 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开一种加压加热接合结构及加压加热接合方法。所述的一种加压加热接合结构，将使用金属微粒作为接合材料而将两个部件加压加热接合，其中，将线膨胀系数不同的第一部件（14）与第二部件（4A）配置成使产生于该第一部件与第二部件之间的热应力作为加压力作用于两个部件的接合面（F2），并在将所述金属微粒设置在所述接合面之间的状态下升温而将所述第一部件与所述第二部件加压加热接合。根据本发明，即使在与加压方向正交的接合面上也能有效地进行加压加热接合。

公开(公告)号：CN104205301B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280071499.4

申请日：2012-08-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 ,  西泽龙男 ,  木下庆人 ,  梨子田典弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。

公开(公告)号：CN103930990A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055469.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西泽龙男 ,  多田慎司 ,  木下庆人 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。