公开(公告)号：CN1783473B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200510128716.0

申请日：2005-11-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 冈本健次

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: H05K1/053 ,  C23C4/02 ,  C23C24/04 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种绝缘衬底设有：作为基底构件的金属基底；用气溶胶淀积法形成在金属基底上的室温冲击固化膜；和用冷喷涂法形成在绝缘层上的热喷涂涂层的电路图案。一种半导体器件包含这种绝缘衬底，从而提高了热辐射特性。