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1.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101127333B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710001688.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 宇野正 , 斋藤信胜

IPC: H01L23/31 , H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体元件，其设置在布线板的上方；密封树脂，其构造为密封该半导体元件的上表面和侧表面；以及增强树脂，其设置在该布线板的上表面与该密封树脂的外侧表面之间的、该密封树脂和该布线板的边界部分的至少一部分上，且沿该布线板和该密封树脂的边界部分的周边的至少一部分的外侧设置。在上述半导体器件中，该增强树脂可以设置在该密封树脂的拐角部分附近的、该密封树脂和该布线板的边界部分处。

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