-
公开(公告)号:CN100524715C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200710084483.8
申请日:2007-03-02
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/12 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05138 , H01L2224/05624 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,其中当通过化学镀方法在由铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘上形成镍(Ni)层时,在沉淀作为催化剂的锌(Zn)之前,以不连续点或岛的形式在电极焊盘的表面上形成铜(Cu),从而设置薄铜(Cu)层。
-
公开(公告)号:CN101512741A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200680055903.3
申请日:2006-09-29
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2224/81012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/19043 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05599
Abstract: 提供半导体器件的制造方法及制造装置。在进行回流焊时,首先将凸块(12)的上部(12b)加热至该凸块(12)的熔融温度以上的规定温度,使得先从该上部(12b)开始熔融。接着,将凸块(12)的下部(12a)加热至该凸块(12)的熔融温度以上的规定温度,使该下部(12a)熔融。此时,凸块(12)的上部(12b)已开始熔融,处于焊料粘性降低的状态,而且,在下部(12a)熔融的阶段,凸块(12)无偏斜且大致均匀地熔融,呈大致球状的稳定形状。因此,即使发生热振动等,由于已形成为稳定形状,因此不存在凸块(12)发生倾倒等担心,而且各凸块(12)在彼此相邻处不会发生短路,从而能够获得所希望的良好的回流焊状态。
-