公开(公告)号：CN1499608A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104471.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细田勉 ,  山上朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括：主要由聚烯丙基醚树脂薄膜形成的绝缘薄膜(114)；埋于绝缘薄膜(114)中的互联结构(116)，具有埋于凹槽状导通孔内的导通部分和形成于导通部分上且具有水平延伸出导通部分的屋檐状部分的互联部分；在埋有互联结构(116)的绝缘薄膜(114)上形成的绝缘薄膜(118)，它主要由有机硅玻璃薄膜组成；埋于绝缘薄膜(118)内并连接到互联结构(116)的互联结构(120)。因此，可降低施加于绝缘薄膜上的应力，可以有效地防止由于产生于互联结构端部的应力而在绝缘薄膜间的界面和绝缘薄膜中产生的裂缝和剥离。

公开(公告)号：CN1499626A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310102358.7

申请日：2003-10-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山上朗 ,  细田勉

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，在半导体衬底上包括：由多个绝缘膜形成的绝缘结构；埋在绝缘结构中，并由多个导电层形成的互连结构；以及由与形成互连结构的导电层相同的导电层形成，并埋在各绝缘膜的表面侧中的多个虚拟图案，并且互连结构附近的虚拟图案通过通路部分彼此相连接。这样，加固了互连结构附近的绝缘结构，并可以防止由机械应力或热应力引起的在绝缘膜之间的界面或层间绝缘膜中的裂缝和剥落的产生。

公开(公告)号：CN1467817A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03106424.8

申请日：2003-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫嶋基守 ,  柄沢章孝 ,  细田勉 ,  大塚敏志

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7684

Abstract: 第一绝缘膜形成在下层基片上，该第一绝缘膜由第一绝缘材料所制成。第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度。在第二绝缘膜上淀积由导电材料所制成的布线层，该布线层埋住该沟槽。对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中。对该布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜暴露出来时为止。本发明可以抑制凹陷和侵蚀的形成。

公开(公告)号：CN1237605C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200310104471.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 细田勉 ,  山上朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括：主要由聚烯丙基醚树脂薄膜形成的绝缘薄膜(114)；埋于绝缘薄膜(114)中的互联结构(116)，具有埋于凹槽状导通孔内的导通部分和形成于导通部分上且具有水平延伸出导通部分的屋檐状部分的互联部分，该互联结构(116)的互联部分的屋檐状部分的长度是该导通部分高度的3倍或大于3倍；在埋有互联结构(116)的绝缘薄膜(114)上形成的绝缘薄膜(118)，它主要由有机硅玻璃薄膜组成；埋于绝缘薄膜(118)内并连接到互联结构(116)的互联结构(120)。因此，可降低施加于绝缘薄膜上的应力，可以有效地防止由于产生于互联结构端部的应力而在绝缘薄膜间的界面和绝缘薄膜中产生的裂缝和剥离。

公开(公告)号：CN1225019C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03106424.8

申请日：2003-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫嶋基守 ,  柄沢章孝 ,  细田勉 ,  大塚敏志

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7684

Abstract: 第一绝缘膜形成在下层基片上，该第一绝缘膜由第一绝缘材料所制成。第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度。在第二绝缘膜上淀积由导电材料所制成的布线层，该布线层埋住该沟槽。对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中。对该布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜暴露出来时为止。本发明可以抑制凹陷和侵蚀的形成。