公开(公告)号：CN1967709A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149329.X

申请日：2006-11-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 池田博明 ,  柴田佳世子 ,  山田淳二

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C5/025

Abstract: 在具有贯通电极的三维堆叠存储器中，尚未建立最佳的层布置、存储体布置、控制方法，因而希望建立最佳的方法。堆叠存储器包括存储核心层、中介层和IF芯片。通过堆叠具有相同布置的存储核心层，可以既应付非奇偶操作又应付奇偶操作。进一步，通过行地址和存储体地址的分配，能够实现存储体指定而不管存储核心层的堆叠的数目。进一步，IF芯片具有刷新计数器，用于执行堆叠存储器的刷新控制。这种布置提供了包括具有贯通电极的堆叠的存储核心层的堆叠存储器。

公开(公告)号：CN1967709B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200610149329.X

申请日：2006-11-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 池田博明 ,  柴田佳世子 ,  山田淳二

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C5/025

Abstract: 在具有贯通电极的三维堆叠存储器中，尚未建立最佳的层布置、存储体布置、控制方法，因而希望建立最佳的方法。堆叠存储器包括存储核心层、中介层和IF芯片。通过堆叠具有相同布置的存储核心层，可以既应付非奇偶操作又应付奇偶操作。进一步，通过行地址和存储体地址的分配，能够实现存储体指定而不管存储核心层的堆叠的数目。进一步，IF芯片具有刷新计数器，用于执行堆叠存储器的刷新控制。这种布置提供了包括具有贯通电极的堆叠的存储核心层的堆叠存储器。